[发明专利]一种三态输入检测电路及其检测方法

权利要求书

1.一种三态输入检测电路，其特征在于，包括依次连接的分压电路(1)和分压后检测电路(2)，

所述的分压电路(1)连接一输入信号(Vin)，用于将输入信号进行分压；

所述的分压电路(1)包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、NMOS管NM1，所述的输入信号(Vin)通过电阻R5后分别与PMOS管PM3的源极、NMOS管NM1的源极连接，所述NMOS管NM1的漏极依次连接电阻R3、电阻R1后与PMOS管PM1的源极连接，所述PMOS管PM1的栅极分别连接PMOS管PM1的漏极、PMOS管PM2的源极以及NMOS管NM1的栅极，所述PMOS管PM2的栅极分别与PMOS管PM2的漏极、PMOS管PM3的栅极连接，所述PMOS管PM2的漏极依次连接电阻R2、电阻R4后与PMOS管PM3的漏极连接，所述电阻R2和电阻R4之间接地，所述电阻R1和电阻R3之间连接有一工作电压(VDD)；

所述的分压后检测电路(2)，用于检查输入信号的输入状态；

所述的分压后检测电路(2)包括反相器U1、反相器U2、反相器U3、反相器U4、反相器U5、反相器U6、反相器U7、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM2、NMOS管NM3，所述NMOS管NM1的漏极通过反相器U1后分别与反相器U2、PMOS管PM4的源极、PMOS管PM5的栅极连接，所述反相器U2的输出分别连接NMOS管NM2的源极、NMOS管NM3的栅极，所述PMOS管PM3的漏极通过反相器U3分别与NMOS管NM2的栅极、NMOS管NM3的源极、PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM5的源极以及反相器U6连接，所述NMOS管NM2的漏极与NMOS管NM3的漏极、PMOS管PM4的漏极以及PMOS管PM5的漏极并联后依次经过反相器U4、反相器U5后连接输出端OUT1，所述反相器U6的输出端连接反相器U7后连接输出端OUT2。

2.权利要求1所述的一种三态输入检测电路的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)输入信号进入三态输入检测电路，从输出端OUT1和输出端OUT2分别输出检测信息，根据输出的检测信息判断输入信号的输入状态；

(2)当输入信号(Vin)为高电平，PMOS管PM3导通，电阻R4压降高，输出端OUT2输出“0”，NMOS管NM1截止，电阻R3无压降，NMOS管NM3导通，输出端OUT1输出“0”；

(3)当输入信号(Vin)为低电平，PMOS管PM3截止，电阻R4无压降，输出端OUT2输出“1”，NMOS管NM1导通，电阻R3压降大，NMOS管NM2导通，输出端OUT1输出“0”；

(4)当输入信号(Vin)为高阻态，PMOS管PM3导通，电阻R4压降小，输出端OUT2输出“1”，NMOS管NM1导通，电阻R3压降小，PMOS管PM4导通，输出端OUT1输出“1”。