[发明专利]一种有源天线检测装置及其检测方法

权利要求书

1.一种有源天线检测装置，其特征在于，包括有源天线、偏置电路(1)、第一比较器(2)、第二比较器(3)和逻辑输出电路(4)，

所述的偏置电路(1)，用于为有源天线提供的电流和电压进行偏置；

所述的第一比较器(2)，用于接收偏置电压并与参考电压进行比较；

所述的第二比较器(3)，用于接收偏置电压并与电源电压进行比较；

所述的逻辑输出电路(4)，用于接收第一比较器(2)及第二比较器(3)的输出信号得出检测结果并输出，同时输出反馈信号到偏置电路(1)；

所述有源天线分别连接第一比较器(2)的输入端、第二比较器(3)的输入端和偏置电路(1)的输入端，所述第一比较器(2)的输出端、第二比较器(3)的输出端均连接逻辑输出电路(4)的输入端，所述逻辑输出电路(4)的输出端连接偏置电路(1)。

2.根据权利要求1所述的一种有源天线检测装置，其特征在于，所述的第一比较器(2)包括限流保护电路和比较电路，所述的限流保护电路包括PMOS管1M1、NMOS管1M2、NMOS管1M3、NMOS管1M4、PMOS管1M5、NMOS管1M6、PMOS管1M7和电阻(R1),所述NMOS管1M3的源极接地，所述NMOS管1M3的漏极连接所述NMOS管1M2的源极，所述NMOS管1M3的栅极分别连接NMOS管1M4的栅极和漏极以及电流源(I1)，所述NMOS管1M4的源极接地，所述NMOS管1M3、NMOS管1M4和电流源(I1)构成电流镜电路；所述NMOS管1M2的栅极连接高电平(VDD)，所述NMOS管1M2的漏极和PMOS管1M1的漏极和PMOS管1M1的栅极连接后再与PMOS管1M5的源极连接，所述PMOS管1M1的源极连接高电平(VDD)，所述PMOS管1M5的栅极和NMOS管1M6的栅极均连接比较电路的反馈电平(LMT)；所述PMOS管1M5的漏极和NMOS管1M6的漏极连接后再与PMOS管1M7的栅极连接，所述NMOS管1M6的源极接地，所述PMOS管1M7的源极连接高电平(VDD)，所述PMOS管1M7的漏极与有源天线的偏置端连接，所述有源天线的偏置端通过电阻(R1)连接比较电路的输入端；

所述的比较电路包括PMOS管1M8、NMOS管1M9、NMOS管1M10、NMOS管1M11、PMOS管1M12、PMOS管1M13、NMOS管1M14、PMOS管1M15、PMOS管1M16、NMOS管1M17和NMOS管1M18，所述的NMOS管1M11的源极、NMOS管1M14的源极、NMOS管1M17的源极和NMOS管1M18的源极均接地，所述PMOS管1M8的源极、PMOS管1M12的源极、PMOS管1M13的源极、PMOS管1M15的源极和PMOS管1M16的源极连接高电平(VDD)，所述NMOS管1M11的栅极和NMOS管1M18的栅极均连接NMOS管1M4的栅极，所述电流源(I1)分别与NMOS管1M11、NMOS管1M18构成电流镜电路；所述PMOS管1M8的栅极和PMOS管1M12的栅极相连后与PMOS管1M8的漏极连接，所述NMOS管1M9的源极和NMOS管1M10的源极相连后与NMOS管1M11的漏极连接；所述NMOS管1M10的栅极连接一参考电压，所述NMOS管1M10漏极和PMOS管1M12的漏极均与PMOS管1M13的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与NMOS管1M14的栅极连接，所述PMOS管1M13的漏极和NMOS管1M18的漏极均与PMOS管1M15的栅极连接，所述NMOS管1M14的漏极和PMOS管1M15的漏极连接后同时连接PMOS管1M16的栅极、NMOS管1M17的栅极以及输出反馈电平(LMT)，所述PMOS管1M16的漏极、NMOS管1M17的漏极连接后输出短路检测信号(OUT1)。