[发明专利]基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器在审

专利信息
申请号: 201711232401.X 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN107861190A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 李九生 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: G02B6/126 分类号: G02B6/126;G02B6/122;G02B6/124
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基于 局部 周期性 沟道 结构 赫兹 偏振 输出
【权利要求书】:

1.一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,它包括信号输入端(1)、第一信号输出端(2)、第二信号输出端(3)、基底硅层(9)、二氧化硅层(10)、双面锥形波导(6)、左侧单面锥形波导(5)、左侧直臂S形波导(7)、右侧单面锥形波导(4)、右侧直臂S形波导(8);双面锥形波导(6)通过左侧直臂S形波导(5)和右侧直臂S形波导(8)分别与与左侧单面锥形波导(5)和右侧单面锥形波导(4)相连接;左侧直臂S形波导(5)和右侧直臂S形波导(8)由中部矩形波导和两端几何形状大小相同的弧形波导组成。TE偏振波与TM偏振波从双面锥形波导(6)周期性沟道结构上方的信号输入端以一定角度输入,进入双面锥形波导(6),经过双面锥形波导(6)上的周期性沟道作用,最后TE偏振波从双面锥形波导(6)的右侧的第一信号输出端(2)输出,TM偏振波从双面锥形波导(6)的左侧的第二信号输出端(3)输出,从而控制TE偏振波与TM偏振波的传输方向,因此可以实现周期性沟道结构的偏振器。

2.根据权利要求1所述的一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,其特征在于所述的基底硅层(9)和二氧化硅层(10)的长度为679.6μm~686μm,宽度为230μm,基底硅层(9)的厚度h1=22μm,二氧化硅层(10)的厚度h2=45μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,其特征在于所述的双面锥形波导(6)的材料为硅,厚度h3=30μm;双面锥形波导(6)的中间部分为周期性沟道,而两端则各由一个长方形波导和一等腰三角形波导构成;周期性沟道的周期尺寸T为4.2~4.6μm,占空比为50%,高度h4=5μm;长方形波导长度为23μm,宽度为45μm,等腰三角形波导的底边长为45μm,腰长为54μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,其特征在于所述的左侧直臂S形波导(7)和右侧直臂S形波导(8)的几何参数完全相同,都由一个矩形波导两端各连接一个弧度角为90°的弧形波导组成;矩形波导的长100μm,宽为5μm,弧形波导的外半径为25μm,宽度为5μm,各波导的材料都为硅。

5.根据权利要求1所述的一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,其特征在于所述的左侧单面锥形波导(5)的材料为硅,厚度h3=30μm;左侧单面锥形波导(5)的中间部分为周期性沟道,周期性沟道的周期尺寸T为4.2~4.6μm,占空比为50%,高度h4=5μm;左侧单面锥形波导(5)左端为一个长方形波导,长方形波导的长为23μm。宽为45μm,其右端与周期性沟道相连;左侧单面锥形波导(5)右端由一个长方形波导和一个等腰三角形波导构成,长方形波导的左端与周期性沟道相连,右端与与等腰三角形波导相连,长方形波导长度为23μm,宽度为45μm,等腰三角形波导的底边长为45μm,腰长为54μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,其特征在于所述的右侧单面锥形波导(6)的材料为硅,厚度h3=30μm;右侧单面锥形波导(6)的中间部分为周期性沟道,周期性沟道的周期尺寸T为4.2~4.6μm,占空比为50%,高度h4=5μm;由侧单面锥形波导(6)右端为一个长方形波导,长方形波导的长为23μm。宽为45μm,其左端与周期性沟道相连;右侧单面锥形波导(6)左端由一个长方形波导和一个等腰三角形波导构成,长方形波导的右端与周期性沟道相连,左端与与等腰三角形波导相连,长方形波导长度为23μm,宽度为45μm,等腰三角形波导的底边长为45μm,腰长为54μm。

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