[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备

说明书

本发明提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种液晶显示装置、显示模块及电子设备。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入输出装置(例如，触摸屏等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。

背景技术

用于液晶显示装置及发光显示装置的大多数平板显示器的晶体管利用在玻璃衬底上设置的硅半导体诸如非晶硅、单晶硅或多晶硅而构成。此外，使用该硅半导体的晶体管也用于集成电路(IC)等。

近年来，将呈现半导体特性的金属氧化物用于晶体管来代替硅半导体的技术受到瞩目。注意，在本说明书中，将呈现半导体特性的金属氧化物称为氧化物半导体。例如，专利文献1及专利文献2已公开了作为氧化物半导体使用氧化锌或In-Ga-Zn氧化物来制造晶体管并将该晶体管用于显示装置的像素的开关元件等的技术。

[专利文献1]日本专利申请公开第2007-123861号公报

[专利文献2]日本专利申请公开第2007-96055号公报

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的液晶显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种高分辨率的液晶显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的液晶显示装置。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。

本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。

本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管包括：栅电极；栅电极上的绝缘层；绝缘层上的半导体层；以及半导体层上的一对电极。半导体层包括第一金属氧化物层、以及第一金属氧化物层上的第二金属氧化物层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。

优选的是，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层分别独立地包含铟、金属M(M为铝、镓、钇或锡)和锌。例如，在铟、金属M及锌的原子个数比为In:M:Zn＝4:x:y的情况下，x为1.5以上且2.5以下，并且y为2以上且4以下。例如，在铟、金属M及锌的原子个数比为In:M:Zn＝5:x:y的情况下，x为0.5以上且1.5以下，并且y为5以上且7以下。

第二金属氧化物层优选包括具有c轴取向性的结晶部。