[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711230971.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109390302A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘醇鸿;陈宪伟;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 衬底 导电结构 单粒化 密封环 第二表面 第一表面 最小化 裸片 脱层 制作 裂缝 制造 污染物 配置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其包括：
第一衬底，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
通路，其延伸穿过所述第一衬底；
裸片，其放置于所述第一衬底的所述第一表面上方；
重布层RDL，其放置于所述第一衬底的所述第二表面上方，且包含所述第二表面上方的介电层、放置于所述介电层内并电连接到所述通路的第一导电结构，及放置于所述介电层内并与所述通路电隔离的第二导电结构；
第二衬底，其包含第三表面及与所述第三表面相对的第四表面；及
导电凸块，其放置于所述第二衬底的所述第三表面与所述RDL之间且将所述第一导电结构与所述第二衬底接合在一起。
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