[发明专利]形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供具有一基板和在该基板之上的一硬罩幕层的一装置；

形成一心轴于该硬罩幕层之上；

沉积一材料层于该心轴的多个侧壁上；

植入一掺杂剂到该材料层中，其中该掺杂剂包括硼；

使用该心轴和该材料层共同作为一蚀刻罩幕来执行一蚀刻制程于该硬罩幕层上，从而形成一图案化硬罩幕层，其中该蚀刻制程同时产生沉积于该图案化硬罩幕层的多个侧壁上的一介电层，该介电层含有该掺杂剂；以及

通过使用该图案化硬罩幕层和该介电层共同作为一蚀刻罩幕蚀刻该基板来形成一鳍片。

2.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于：

该基板包括一第一半导体层和在该第一半导体层之上的一第二半导体层，该第一半导体层和该第二半导体层具有不同的材料组成；以及

蚀刻该基板包括蚀刻该第二半导体层。

3.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于：

执行该蚀刻制程包括以一气体执行一干式蚀刻制程；以及

该介电层由该掺杂剂和该气体之间的一化学反应产生。

4.根据权利要求3所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，在该图案化硬罩幕层的所述多个侧壁的一底部的该介电层，相较于在该图案化硬罩幕层的所述多个侧壁的一顶部，具有一较大的厚度。

5.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，植入该掺杂剂在该材料层中的硼的浓度为2x10²⁰cm^-3至5x10²¹cm^-3。

6.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一心轴于该基板之上；

形成一掺杂材料层于该心轴的多个侧壁和一顶表面上；以及

通过移转由该心轴和该掺杂材料层所共同定义的一图案到该基板中来图案化该基板。

7.根据权利要求6所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该掺杂材料层含有硼。

8.根据权利要求6所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该基板包括一磊晶半导体层和在该磊晶半导体层之上的一硬罩幕层。

9.根据权利要求8所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，图案化该基板包括：

使用该心轴和该掺杂材料层作为一蚀刻罩幕来蚀刻该硬罩幕层，其中在蚀刻该硬罩幕层期间产生一介电材料，并沉积于该经蚀刻的硬罩幕层的多个侧壁上；以及

使用该经蚀刻的硬罩幕层和该介电材料作为一蚀刻罩幕来蚀刻该磊晶半导体层。

10.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供一装置，该装置具有在一第一区域和一第二区域中的一半导体层、在该第二区域中的该半导体层之上的一磊晶层、以及覆盖在该第一区域中的该半导体层和在该第二区域中的该磊晶层的一硬罩幕层；

形成一第一心轴于该第一区域中的该硬罩幕层之上，以及形成一第二心轴于该第二区域中的该硬罩幕层之上；

沉积覆盖该第一心轴和该第二心轴的一材料层；

植入一杂质于该第二区域中的该材料层中；

去除在该第一区域中的该材料层；

使用该第一心轴和该第二心轴作为一蚀刻罩幕来蚀刻该硬罩幕层，造成在该第一区域中的一第一经蚀刻的硬罩幕特征和在该第二区域中的一第二经蚀刻的硬罩幕特征；以及

使用该第一经蚀刻的硬罩幕特征和该第二经蚀刻的硬罩幕特征作为一蚀刻罩幕来蚀刻该半导体层和该磊晶层，造成在该第一区域中的一第一鳍片和在该第二区域中的一第二鳍片。