[发明专利]量子点电致发光器件及显示器在审
| 申请号: | 201711229119.6 | 申请日: | 2017-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN108963087A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
| 发明(设计)人: | 魏雄伟;李哲;谢相伟;黄航;宋晶尧 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑彤;万志香 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子传输层 电致发光器件 第二电极 发光层 量子点 载流子 有机电子传输材料 无机金属氧化物 电子迁移率 空穴迁移率 传输材料 第一电极 电流效率 电子传输 固态照明 平板显示 依次层叠 显示器 平衡 应用 | ||
本发明涉及一种量子点电致发光器件,包括依次层叠第一电极层、发光层、第二电极层;所述发光层与第二电极层之间设置第一电子传输层、第二电子传输层;所述第一电子传输层的材料包括无机金属氧化物传输材料,所述第二电子传输层的材料包括有机电子传输材料。本发明将两种不同材料的电子传输层叠加使用,减弱了空穴迁移率与电子迁移率之间的差异,实现了载流子的平衡,电流效率得到了大幅提升,可应用于固态照明、平板显示等领域。
技术领域
本发明涉及量子点领域,特别是涉及量子点电致发光器件及显示器。
背景技术
量子点是具有量子限制效应的纳米尺寸半导体材料,受到光或电的激发,量子点便会发出非常纯净的光,具有发光量子效率高、性能稳定等特点。利用量子点电致发光特性制作的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode,QLED)器件作为一种新兴的发光器件,近年来受到了广泛的关注。与传统的有机发光二极管(OLED)相比,QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景,受到了学术界以及产业界的广泛关注。
通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化,现有QLED器件的性能得到了大幅度的提高,但是其发光效率与产业化生产的要求还有一定差距。除了电极以外,目前典型的量子点发光二极管的结构是一个空穴传输层,一个量子点发光层,一个电子传输层。采用这种多层结构,电子与空穴传输速率不同,导致正负载流子的不平衡。载流子的不平衡是影响QLED器件性能的重要因素之一,特别是对QLED器件发光效率和寿命的影响。如何获得有效的载流子平衡,进一步提升QLED器件的性能,仍然是当前学术界和产业界研发的重点。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题,提供一种控制电子传输速率,进而实现载流子平衡的量子点电致发光器件及显示器。
本发明提供一种量子点电致发光器件,包括层叠设置的第一电极层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、第二电极层;
所述第一电子传输层的材料包括无机金属氧化物,所述第二电子传输层的材料包括有机电子传输材料。
在其中一个实施例中,所述无机金属氧化物为一元金属氧化物和多元金属氧化物中的一种或几种。
在其中一个实施例中,所述多元金属氧化物选自氧化锌镁、氧化锌锡、氧化锌铝、氧化锌钙、氧化锌钨、氧化锌钛、氧化锌镍、ZnO-TiO2-SnO2和ZnO-MgO-TiO2的一种或几种;和/或
所述一元金属氧化物选自ZnO、MgO、TiO2、SnO2、ZrO2、HfO2或Ta2O3的一种或几种。
在其中一个实施例中,所述第一电子传输层还包括高分子材料PEIE。
在其中一个实施例中,所述有机电子传输材料选自NBphen、TPBi、Bpy-FOXD、BP4mPy、BTB、BIPO、3TPYMB、PBD、BAlq、PEIE、Bphen、TmPyPB和BCP的一种或几种。
在其中一个实施例中,所述第二电子传输层还包括掺杂材料,所述掺杂材料选自金属、金属无机盐或有机金属配合物;和/或
所述掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的1%-60%。
在其中一个实施例中,所述金属选自Li、Na、K、Rb、Cs或Yb;和/或
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





