[发明专利]MEMS装置和用于制造MEMS装置的方法

权利要求书

1.一种MEMS装置，包括：

膜；和

与所述膜间隔布置的至少一个电极，

其中所述至少一个电极包括层堆叠，所述层堆叠包括：

第一绝缘层；

布置在所述第一绝缘层上的第一导电层；

布置在所述第一导电层上的第二绝缘层；

布置在所述第二绝缘层上的第二导电层；以及

布置在所述第二导电层上的第三绝缘层；

其中所述至少一个电极包括在所述膜的第一侧上的第一电极和在所述膜的第二侧上的第二电极，所述第二侧与所述第一侧对置。

2.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述膜具有大于900μm的直径。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和/或所述第三绝缘层包括氮化硅或者由氮化硅构成。

4.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述第一导电层和/或所述第二导电层包括多晶硅。

5.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和/或所述第三绝缘层具有20nm至300nm范围内的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述第一导电层和/或所述第二导电层具有20nm至1000nm范围内的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述第一导电层的厚度大于所述第二导电层的厚度。

8.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述第一导电层的厚度等于所述第二导电层的厚度。

9.根据权利要求7所述的MEMS装置，

其中所述至少一个电极包括布置在所述膜下方的下电极，在所述下电极中所述第二导电层比所述第一导电层更靠近所述膜，和/或其中所述至少一个电极包括布置在所述膜上方的上电极，在所述上电极中所述第一导电层比所述第二导电层更靠近所述膜。

10.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，还包括：

电触点，所述电触点使所述第一导电层和所述第二导电层彼此导电地连接。

11.根据权利要求10所述的MEMS装置，其中所述电触点从所述层堆叠的表面穿过所述导电层中的一个导电层延伸到所述导电层中的另一个导电层。

12.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述层堆叠具有100nm至2.9μm范围内的厚度。

13.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述至少一个电极包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括所述层堆叠，所述层堆叠的层中的至少一个层延伸到所述第二区域中或者延伸穿过所述第二区域，但不是所述层堆叠的所有层延伸到所述第二区域中或者延伸穿过所述第二区域。

14.根据权利要求13所述的MEMS装置，其中所述第一区域包括所述电极的边缘区域或由所述电极的边缘区域构成，并且所述第二区域包括所述电极的中心区域或由所述电极的中心区域构成。

15.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，还包括：

悬置体，其中所述膜和所述至少一个电极由所述悬置体保持。

16.根据权利要求15所述的MEMS装置，其中所述悬置体包括开口，其中所述膜和所述至少一个电极以各自相应的边缘区域与所述悬置体连接并且以各自相应的中心区域暴露在所述悬置体的所述开口中。

17.根据权利要求1或2所述的MEMS装置，其中所述至少一个电极包括至少一个穿孔。