[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置包含：导电结构与延伸至导电结构内并沿着第一表面接触导电结构的导电凸块。导电凸块是配置以在与第一表面相对的第二表面接合外部半导体装置，导电凸块在沿着第一表面是比沿着第二表面宽。

技术领域

本揭露是关于一种半导体装置，特别是关于一种具有导电凸块的半导体装置。

背景技术

半导体产业在追求较高装置密度及较低成本上已达成显著的成长。在半导体装置或集成电路(Integrated Circuit，IC)的技术进步下，材料和设计已逐渐地生产出较小且较复杂的电路。在半导体装置进化的过程中，功能密度(例如：单位晶片面积的内连接的装置数)通常随着几何尺寸的减少而增加。尺度缩小制程提供了增加生产效率和减少相关成本的效益。

半导体装置可包含例如铜、镍及金的导电材料，以促进导电内连接。然而，在暴露至铜时，相较于例如镍的其他材料，金具有较高反应性且在组成中变化较大。同样地，相较于例如镍的其他材料，铜具有较高反应性且较易扩散。因此，镍可做为缓冲而使用在铜与金之间，以防止铜扩散至金。

然而，增加的功能密度已增加半导体装置的复杂度，例如通过减少在半导体装置上的不同导电材料的距离及数量。当功能密度增加且导电材料间的距离减少，此可导致不希望的扩散及不同导电材料的相互混合，例如在铜与金之间。

据此，在半导体制程中，在每一个晶片区域中有较高的失败机会。因此，已知的半导体装置制作及制程不能完全地满足需求。

发明内容

本揭露的一态样是提供一种半导体装置，其是包含：导电结构、延伸至导电结构内并沿着第一表面接触导电结构的导电凸块，导电凸块是配置以在与第一表面相对的第二表面接合外部半导体装置，导电凸块沿着第一表面是比沿着第二表面宽。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1是绘示根据一些实施例的形成包含侧向延伸的导电凸块缓冲物的半导体装置的例示方法的流程图；

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H是绘示根据一些实施例的通过图1的方法在各个制程阶段中的例示半导体装置的剖面视图；

图3是绘示根据一些实施例的具有侧壁间隙壁的例示侧向延伸的导电凸块缓冲物的剖面视图。

具体实施方式

以下揭露提供许多不同实施例或例示，以实施物件的不同特征。以下叙述的成份和排列方式的特定例示是为了简化本揭露。这些当然仅是做为例示，其目的不在构成限制。举例而言，须理解的是，当一个元件是说明为“连接至”或“耦合至”另一元件，其可为直接连接或耦合至另一元件，或有一或更多夹在中间的元件存在。

除此之外，本揭露在各种例示中会重复元件符号及/或字母。此重复的目的是为了简化和明确，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间有任何关系。

再者，空间相对性用语，例如“下方(beneath)”、“在…之下(below)”、“低于(lower)”、“在…之上(above)”、“高于(upper)”等，是为了易于描述附图中所绘示的元素或特征和其他元素或特征的关系。空间相对性用语除了附图中所描绘的方向外，还包含元件在使用或操作时的不同方向。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本文所用的空间相对性描述也可以如此解读。