[发明专利]中介层的制造方法

说明书

提供中介层的制造方法，能够提高使用了玻璃基板的中介层的耐热性。一种中介层的制造方法，从材料基板制造出多个中介层，该材料基板具有玻璃基板和层叠体，其中，该玻璃基板被呈格子状设定的多条分割预定线划分成多个区域，该层叠体层叠在该玻璃基板的第1面或与该第1面相反的一侧的第2面上，并且该层叠体包含绝缘层和配线层，该中介层的制造方法的特征在于，包含如下的工序：切削槽形成工序，使第1切削刀具沿着分割预定线切入层叠体的露出面，在层叠体中形成未到达玻璃基板的深度的切削槽；以及分割工序，使宽度比切削槽窄的第2切削刀具沿着切削槽切入玻璃基板，对玻璃基板进行分割而制造出多个中介层。

技术领域

本发明涉及使用了玻璃基板的中介层的制造方法。

背景技术

为了实现半导体装置的更小型化和高集成化，实用化了在厚度方向上重叠半导体芯片而利用贯通电极(TSV：Through Silicon Via：硅通孔)进行连接的三维安装技术。但是，在该三维安装技术中，由于在厚度方向上重叠多个半导体芯片，所以容易使散热性降低，也无法使用尺寸不同的半导体芯片。此外，还存在制造成本容易随着贯通于半导体芯片的贯通电极的形成而变高的问题。

近年来，还提出了借助使用硅晶片而形成的中介层(中继用基板)来安装多个半导体芯片的安装技术(例如，参照专利文献1)。该安装技术也被称为2.5维安装技术等，例如，具有存储功能的半导体芯片和具有运算功能的半导体芯片按照不重叠的方式与中介层连接。在2.5维安装技术中，由于至少一部分半导体芯片不在厚度方向上重叠，所以容易解决上述的三维安装技术的各种问题。

另一方面，在使用了硅晶片的中介层中还存在高频区域中的损失较大、价格较高的问题。因此，提出了在中介层中使用有利于降低高频区域中的损失并且价格低廉的玻璃基板的技术(例如，参照专利文献2)。例如，在玻璃基板的至少一方的主面上形成包含绝缘层和配线层的层叠体，然后沿着预先设定的分割预定线对玻璃基板进行分割而得到该中介层。

专利文献1：日本特表2003-503855号公报

专利文献2：日本特开2015-198212号公报

通常，利用使旋转的切削刀具沿着分割预定线切入的方法来进行玻璃基板的分割。但是，通过该方法制造的中介层在耐热性方面存在问题。具体来说，例如，当对该中介层进行温度循环试验(TCT：Temperature Cycling Test)时，会在玻璃基板上产生裂纹，或是层叠体从玻璃基板剥离而使次品率变高。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供中介层的制造方法，能够提高使用了玻璃基板的中介层的耐热性。

根据本发明的一个方式，提供中介层的制造方法，从材料基板制造出多个中介层，该材料基板具有玻璃基板和层叠体，其中，该玻璃基板被呈格子状设定的多条分割预定线划分成多个区域，该层叠体层叠在该玻璃基板的第1面或与该第1面相反的一侧的第2面上，并且该层叠体包含绝缘层和配线层，该中介层的制造方法的特征在于，包含如下的工序：切削槽形成工序，使第1切削刀具沿着该分割预定线切入该层叠体的露出面，在该层叠体中形成未到达该玻璃基板的深度的切削槽；以及分割工序，使宽度比该切削槽窄的第2切削刀具沿着该切削槽切入该玻璃基板，对该玻璃基板进行分割而制造出多个中介层。

在本发明的一个方式中，优选所述第2切削刀具所包含的磨粒的粒径比所述第1切削刀具所包含的磨粒的粒径小。