[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

第一裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

模塑物，其环绕所述第一裸片；

通路，其延伸穿过所述模塑物；

互连结构，其包含介电层及导电部件，其中所述介电层放置于所述第一裸片的所述第一表面及所述模塑物下方，且所述导电部件放置于所述介电层内；

第二裸片，其放置于所述模塑物上方且包含面对所述第一裸片的第三表面、与所述第三表面相对的第四表面及位于所述第三表面与所述第四表面之间的侧壁；

连接器，其放置于所述第二裸片与所述通路之间且与所述第二裸片的所述第三表面及所述通路接触；及

底胶，其环绕所述连接器且与所述第一裸片的所述第二表面的一部分接触，其中所述第二裸片电连接到所述通路，且所述底胶覆盖所述第二裸片的所述侧壁的一部分且完全暴露所述第二裸片的所述第四表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二裸片至少部分地与所述第一裸片重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二裸片放置于所述第一裸片的所述第二表面的至少一部分上方。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二裸片通过所述通路电连接到所述导电部件。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片的所述第二表面从所述模塑物暴露。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述通路由所述模塑物环绕。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一裸片放置成邻近于所述通路。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括盖，所述盖放置于所述第一裸片的所述第二表面上方且经配置以耗散来自所述第一裸片的热。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述盖的一部分放置于所述第二裸片上方。

10.一种半导体结构，其包括：

第一裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

模塑物，其环绕所述第一裸片；

通路，其延伸穿过所述模塑物；

互连结构，其包含介电层及导电部件，其中所述介电层放置于所述第一裸片的所述第一表面及所述模塑物下方，且所述导电部件放置于所述介电层内；

第二裸片，其放置于所述模塑物及所述通路上方且包含面对所述第一裸片的第三表面、与所述第三表面相对的第四表面及位于所述第三表面与所述第四表面之间的侧壁；

第一底胶，其放置于所述模塑物与所述第二裸片之间且覆盖所述第二裸片的所述侧壁的一部分并完全暴露所述第二裸片的所述第四表面；

衬底，其包含面对所述互连结构的第五表面及与所述第五表面相对的第六表面；

第一导电凸块，其放置于所述互连结构与所述衬底的所述第五表面之间；及

第二导电凸块，其放置于所述衬底的所述第六表面上方，

其中所述第二裸片放置于所述第一裸片的所述第二表面的至少一部分上方。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一裸片通过所述通路及所述导电部件电连接到所述第二裸片。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第二裸片与所述通路或所述导电部件电隔离。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一裸片是逻辑裸片，且所述第二裸片是高带宽存储器HBM裸片。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其进一步包括放置于所述衬底的所述第五表面上方且环绕所述第一导电凸块的第二底胶。