[发明专利]低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201711224893.8 | 申请日: | 2017-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN107986774B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
| 发明(设计)人: | 张树人;方梓烜;唐斌 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | C04B35/465 | 分类号: | C04B35/465;C04B35/626;C04B35/634;C04B35/64 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低温 烧结 介电常数 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料,其特征在于:由质量百分比为87%~95%的Ca0.35Li0.25Nd0.35TiO3、质量百分比为2%~6%的低温相A、以及质量百分比为3%~7%的降烧剂B组成,材料化学通式为:Ca0.35Li0.25Nd0.35TiO3+xA+yB,x=2wt%-6wt%,y=3wt%-7wt%;
其中,低温相A为Ca5Co4V5.95O24;
降烧剂B由分别占降烧剂B总质量30%~46.8%的氟化锂、10.12%~20%碳酸锂、6.49%~10.76%的二氧化硅、35.59%~39.24%的硼酸、0%~4%的氧化锌、以及0.05%~0.1%的添加物组成,所述添加物为质量比为1:3碳酸锰和氧化亚钴。
2.根据权利要求1所述的低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料,其特征在于:所述材料的介电常数εr在98~105之间,品质因数Q×f在600GHz~4000GHz之间,频率温度系数τf在11ppm/℃~+56ppm/℃之间。
3.权利要求1或2所述的低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:将微波陶瓷材料各组分按所述化学通式配料,经过第一次球磨混合后,再经过第二次球磨混合,在850~900℃下进行气氛控制烧结制成。
4.权利要求1或2所述的低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1:将碳酸钡、碳酸锂、氧化钕、二氧化钛的粉末按Ca0.35Li0.25Nd0.35TiO3组成配料;将碳酸钡、氧化钴、氧化钒的粉末按Ca5Co4V5.95O24组成配料;
步骤2:将步骤1配好的粉体混合均匀,Ca0.35Li0.25Nd0.35TiO3以粉体和无水酒精质量比为1:1.4向粉体中加入无水酒精,以无水酒精为溶剂,行星球磨混合5~7小时,取出后在60℃下烘干,以80目筛网过筛,后在900℃~1100℃大气气氛中预烧3~4小时合成正交钙钛矿相的Ca0.35Li0.25Nd0.35TiO3晶相;
低温相A的合成:Ca5Co4V5.95O24以粉体和去离子水质量比为1:1.1向粉体中加入去离子水,以去离子水为溶剂,行星球磨混合5~7小时,取出后在60℃下烘干,以70目筛网过筛,后在600℃~800℃大气气氛中预烧1~2小时合成Ca5Co4V5.95O24晶相,
步骤3:按配比将LiF、Li2CO3、SiO2、H3BO3、ZnO、MnCO3,CoO配料,球磨3~7小时,烘干过筛,500℃~700℃保温2~8小时预烧,然后在1200℃~1500℃保温2~6小时熔融玻璃渣,将制备的玻璃渣再破碎球磨成粉备用;
步骤4:在步骤2中预烧后的Ca0.35Li0.25Nd0.35TiO3粉体中加入占总质量百分比为2%~6%的低温相A,然后加入占总质量比为3%~7%的降烧剂B,得到混合粉体,以得到的混合粉体和去离子水质量比为1:1向混合粉体中加入去离子水,以去离子水为溶剂,行星球磨混合3~5小时,取出后在100℃下烘干,烘干后添加剂量占烘干料总质量的2~5%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒,压制成型,最后在850℃-900℃大气气氛中烧结8~10小时,制成微波介质陶瓷材料。
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