[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201711224246.7 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108122955B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 任从赫;李在晟;金度亨 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
遮光层和第一辅助电极,所述遮光层和所述第一辅助电极的每一个都被设置在基板的显示区中,其中所述基板通过所述显示区和焊盘区限定;
缓冲层,所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述第一辅助电极;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上,并使得所述薄膜晶体管与所述遮光层交叠;
下焊盘部,所述下焊盘部设置在所述焊盘区的缓冲层上;
上焊盘部,所述上焊盘部经由层间绝缘膜与所述下焊盘部间隔开且经由焊盘接触孔连接到所述下焊盘部;
第二辅助电极,所述第二辅助电极经由第一接触孔连接到所述第一辅助电极;
平坦化膜,所述平坦化膜覆盖所述薄膜晶体管和所述第二辅助电极;
焊盘保护膜,所述焊盘保护膜覆盖所述上焊盘部的侧表面并暴露出所述上焊盘部的上表面的一部分;
第一电极,所述第一电极设置在所述平坦化膜上且电连接到该薄膜晶体管;
第三辅助电极,所述第三辅助电极经由第二接触孔连接到所述第二辅助电极;
有机发光层,所述有机发光层设置在所述第一电极上;以及
第二电极,所述第二电极设置在包括发光层的有机发光层上且电连接到所述第三辅助电极,
其中,所述薄膜晶体管的漏极连接到所述遮光层,
其中,所述第一接触孔和所述第二接触孔不交叠并且间隔开,并且
其中,所述第一辅助电极与所述第一接触孔、所述第二接触孔以及所述第一接触孔和所述第二接触孔之间的区域交叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中使用与所述平坦化膜相同的材料在与所述平坦化膜相同的层上形成所述焊盘保护膜,并且所述焊盘保护膜与所述平坦化膜分离,
所述焊盘保护膜的厚度小于所述平坦化膜的厚度,并且
所述焊盘保护膜下方的所述层间绝缘膜暴露在所述焊盘区中的所述焊盘保护膜的侧表面的外围。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述薄膜晶体管包括:
有源层,所述有源层设置在所述缓冲层上且包括沟道区、源极区和漏极区;
栅极绝缘膜,所述栅极绝缘膜设置在所述有源层的沟道区上;
栅极,所述栅极设置在所述栅极绝缘膜上;
源极,所述源极连接至所述有源层的源极区;和
所述漏极,所述漏极连接至所述有源层的漏极区,
其中,所述层间绝缘膜覆盖所述栅极,并且
所述下焊盘部设置在与所述栅极相同的层中且使用与所述栅极相同的材料形成。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中所述源极和所述漏极设置在与所述上焊盘部和所述第二辅助电极相同的层中,且所述源极和所述漏极使用与所述上焊盘部和所述第二辅助电极相同的材料形成。
5.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中所述源极、所述漏极、所述上焊盘部和所述第二辅助电极中的至少一个具有包括三层金属层的叠置结构。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中所述三层金属层是依次叠置的MoTi、Cu和MoTi。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
堤绝缘膜,所述堤绝缘膜设置在所述第一电极上以暴露出所述第一电极的一部分,所述堤绝缘膜限定发光区并暴露出所述第三辅助电极的一部分;和
阻挡层,所述阻挡层设置在所述第三辅助电极的暴露部分上且具有倒锥形状,
其中所述第三辅助电极电连接到位于所述阻挡层的相邻区域中的第二电极。
8.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述焊盘保护膜和所述平坦化膜包括聚酰亚胺(PI)。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电极和所述第三辅助电极中的至少一个具有三层金属层的叠置结构,所述三层金属层包括下部层、中间层和上部层。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述三层金属层是依次叠置的ITO、Ag和ITO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的