[发明专利]一种增强型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201711223203.7 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107968123B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;王元刚;宋旭波;谭鑫;周幸叶;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 场效应 晶体管 | ||
1.一种增强型场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
沟道层，形成于所述衬底的上表面；
源电极和漏电极，分别形成于所述沟道层的上表面，且位于所述沟道层的相对两侧；
栅电极，形成于所述沟道层的上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间；
所述沟道层中栅电极对应区域之外的区域设有无载流子区；所述无载流子区不存在载流子，所述沟道层的其余部分存在载流子。
2.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述无载流子区通过在所述无载流子区所在的沟道层中注入与所述沟道层的掺杂类型相反的掺杂离子，所述掺杂离子中和所述无载流子区所在的沟道层中的载流子形成。
3.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述无载流子区通过在所述沟道层中刻蚀凹槽形成。
4.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述无载流子区通过在所述无载流子区所在的沟道层的上表面设置与所述沟道层的掺杂类型相反的帽层，所述帽层的掺杂浓度大于所述沟道层的掺杂浓度，所述帽层中的载流子中和所述无载流子区所在的沟道层中的载流子形成。
5.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述无载流子区的数量为1以上。
6.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极的数量为1个以上。
7.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极与所述沟道层之间设有介质层。
8.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述沟道层上表面的所述源电极、所述栅电极和所述漏电极以外的区域设有钝化层。
9.如权利要求1所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述无载流子区的宽度为1纳米至10微米。
10.如权利要求1至9任一项所述的增强型场效应晶体管，其特征在于，所述衬底与所述沟道层之间设有本征层。
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