[发明专利]一种近红外量子点单光子源的制备方法

权利要求书

1.一种近红外量子点单光子源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)将硼硅酸盐盖玻片分别用丙酮、氢氧化钠溶液和超纯水超声清洗，然后在450摄氏度的加热箱中焙烧15小时，并经臭氧氧化处理1.5小时；

(b)将步骤(a)清洁后的硼硅酸盐盖玻片浸没在1.3μM的3-氨基丙基三乙氧基硅烷溶液中5小时，对硼硅酸盐盖玻片表面进行氨基功能化处理；

(c)将10^-10～10^-9M的表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS_3ML核/多壳层量子点的水溶液旋涂到氨基功能化的硼硅酸盐盖玻片表面上，使氨基与羧基通过化学反应连接在一起，从而使表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS_3ML核/多壳层量子点固定到硼硅酸盐盖玻片表面上，使用超纯水超声清洗硼硅酸盐盖玻片，清除未固定的单量子点；

(d)取30μL的保护剂以2500转/分钟的转速旋涂在固定有单量子点的硼硅酸盐盖玻片表面，形成一层保护剂薄膜，使单量子点完全浸没在保护剂薄膜中，并另取一硼硅酸盐盖玻片盖在保护剂薄膜之上以缓减保护剂的挥发，从而制成近红外量子点单光子源；所述保护剂为甘油、浓度为0.01mol/L的磷酸盐缓冲液和对苯二胺的混合液，其中作为溶剂的甘油和磷酸盐缓冲液的体积比为1.7：0.3，作为溶质的对苯二胺的浓度为10mmol/L，所述保护剂的pH值为9.0。

2.根据权利要求1所述的一种近红外量子点单光子源的制备方法，其特征在于：所述步骤(c)中的旋涂速度为2000转/分，旋涂时间为1分钟。

3.根据权利要求1所述的一种近红外量子点单光子源的制备方法，其特征在于：所述表面羧基化的近红外CdSeTe/ZnS_3ML核/多壳层量子点的荧光发射中心波长为800nm。