[发明专利]FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法

权利要求书

1.一种FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一FDSOI衬底结构，所述FDSOI衬底包括体硅层，埋氧层和顶层硅，所述埋氧层形成于所述体硅层表面，所述顶层硅形成于所述埋氧层表面；在所述顶层硅表面形成由衬垫氧化层和第一氮化硅层叠加而成的硬掩模层；

FDSOI工艺为22nm以下的FDSOI工艺制程；

最小有源区的宽度达80nm以下；

所述顶层硅的厚度达6nm以下；

步骤二、光刻定义出浅沟槽的形成区域，所述浅沟槽之外的区域为有源区；将所述浅沟槽的形成区域的所述第一氮化硅层和所述衬垫氧化层打开，以打开后的所述硬掩模层为掩模依次对所述顶层硅、所述埋氧层和所述体硅层进行刻蚀形成所述浅沟槽；

步骤三、进行形成线性氧化层之前的预清洗，所述预清洗中包括采用HF溶液去除所述浅沟槽表面的氧化膜的工艺，控制所述HF溶液的稀释度和所述HF溶液的清洗时间使得在保证去除所述浅沟槽表面的氧化膜的条件下减少对所述衬垫氧化层和所述埋氧层的消耗量，从而减少所述浅沟槽边缘处的所述顶层硅的突出量；

在所述预清洗中将对所述衬垫氧化层和所述埋氧层的消耗量控制在

步骤四、采用原子层沉积工艺进行线性氧化层的生长，所述线性氧化层的材料为氧化硅，利用所述原子层沉积工艺减少所述线性氧化层生长过程中的热预算以及结合步骤三中的所述浅沟槽边缘处的所述顶层硅的突出量的减少来减少所述线性氧化层生长过程中对所述顶层硅的消耗量，从而提升器件的电学性能并使器件的电学性能达到要求值；

步骤五、采用HARP工艺对所述浅沟槽的进行氧化层填充形成浅沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：步骤三中在所述预清洗中的所述HF溶液的HF：H2O的体积比为1:100～1:1000；所述HF溶液的清洗时间为0.5分钟～10分钟；所述HF溶液的清洗温度为10℃～70℃。

3.如权利要求1所述的FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：所述原子层沉积工艺的温度为200℃～500℃。

4.如权利要求1所述的FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：步骤四中生长的所述线性氧化层的厚度为

5.如权利要求1所述的FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：步骤三的所述预清洗工艺中，在进行所述HF溶液的清洗之前还包括如下步骤：

采用臭氧去离子水去除有机物。

6.如权利要求1或5所述的FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于：步骤三的所述预清洗工艺中，在进行所述HF溶液的清洗之后还包括如下步骤：

采用1号液去除所述FDSOI衬底表面残留的微颗粒和有机物；

采用2号液去除残留原子和离子污染物。