[发明专利]半导体装置结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构，包括：

一基板，该基板包括一第一半导体层、一第二半导体层及位于该第一半导体层及该第二半导体层之间的一绝缘层；

一阱区，位于该基板的该第一半导体层中；

一栅极堆叠，位于该基板之上；

多个源极及漏极结构，位于该基板的该第二半导体层之中，其中该些源极及漏极结构位于该栅极堆叠的两侧；

一第一隔离结构，位于该基板中，其中该第一隔离结构包括一绝缘材料且环绕该些源极及漏极结构；以及

一第二隔离结构，位于该第一隔离结构中，其中该第二隔离结构包括一金属材料且环绕该些源极及漏极结构，且其中该第二隔离结构穿透该第一隔离结构、该阱区及该阱区与该第一半导体层之间的一界面。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该第一隔离结构穿透该第二半导体层及该绝缘层且延伸至该阱区中。

3.如权利要求1所述的半导体装置结构，更包括:

一第一介电层，位于该基板之上，其中该第一介电层覆盖该第一隔离结构、该些源极及漏极结构及该栅极堆叠；

一第一导电接触点，位于该第一介电层中，其中该第一导电接触点连接至该栅极堆叠；以及

多个第二导电接触点，位于该第一介电层中，其中该些第二导电接触点连接至该些源极及漏极结构，且其中包括该金属材料的该第二隔离结构电性隔离于该第一导电接触点及该些第二导电接触点。

4.如权利要求3所述的半导体装置结构，其中该第二隔离结构较该第一导电接触点及该些第二导电接触点宽。

5.如权利要求3所述的半导体装置结构，更包括:

一第二介电层，该第二介电层覆盖该第一介电层；以及

多个导电结构，位于该第二介电层中，其中该些导电结构电性连接至该第一导电接触点及该些第二导电接触点，且其中该第二隔离结构穿透该第一介电层且邻接该第二介电层。

6.一种半导体装置结构，包括：

一浅沟槽隔离结构，位于一基板中，其中该基板包括一第一半导体层、一第二半导体层及位于该第一半导体层及该第二半导体层之间的一绝缘层；

一第一晶体管及一第二晶体管，位于该基板中及之上，其中该浅沟槽隔离结构将该第一晶体管与该第二晶体管隔开；以及

一包含金属的隔离结构，位于该基板中，其中该包含金属的隔离结构位于该第一晶体管及该第二晶体管之间，且其中该包含金属的隔离结构电性隔离于该第一晶体管及该第二晶体管，且该包含金属的隔离结构的底表面低于该绝缘层的底表面。

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其中该浅沟槽隔离结构将该包含金属的隔离结构与该第二半导体层及该绝缘层隔开。

8.如权利要求7所述的半导体装置结构，其中该包含金属的隔离结构位于该浅沟槽隔离结构中且具有嵌入于该第一半导体层中的一底部部分。

9.如权利要求6所述的半导体装置结构，更包括:

多个导电接触点电性连接至该第一晶体管及该第二晶体管，其中该包含金属的隔离结构延伸至该浅沟槽隔离结构中及之上，且其中该包含金属的隔离结构环绕该些导电接触点。

10.如权利要求6所述的半导体装置结构，其中该浅沟槽隔离结构具有一第一顶表面且该包含金属的隔离结构具有一第二顶表面，且其中该第二顶表面大体上与该第一顶表面共平面。

11.如权利要求6所述的半导体装置结构，更包括:

一阱区，位于该基板中，其中该包含金属的隔离结构穿透该浅沟槽隔离结构，且其中该阱区邻接该浅沟槽隔离结构及该包含金属的隔离结构。