[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，包括：

在一基底上形成多个鳍式结构，包括在该基底的一第一区上形成一第一鳍式结构和一第二鳍式结构并在该基底的一第二区上形成一第三鳍式结构和一第四鳍式结构，其中该第一鳍式结构的一第一垂直侧壁表面和该第二鳍式结构的一第二垂直侧壁表面之间的一第一间距小于该第三鳍式结构的一第三倾斜侧壁表面和该第四鳍式结构的一第四倾斜侧壁表面之间的一第二间距；

形成多个隔离结构环绕所述多个鳍式结构，其中所述多个隔离结构中每一个的顶面低于所述多个鳍式结构中每一个的顶面，且所述多个隔离结构包含在该第一区上的多个第一隔离结构，以及在该第二区上的多个第二隔离结构；

在所述多个第一隔离结构上形成一掩模层以暴露出所述多个第二隔离结构；

移除所述多个第二隔离结构的一部分，使得所述多个第二隔离结构中每一个的顶面低于所述多个第一隔离结构中每一个的顶面；以及

在所述多个鳍式结构和所述多个隔离结构上形成一栅极介电层，其中该栅极介电层在该第一区和该第二区之间具有阶梯状。

2.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，其中形成所述多个隔离结构环绕所述多个鳍式结构包括：

在所述多个鳍式结构上沉积一隔离层；

在该隔离层上进行一研磨工艺；以及

进行一蚀刻工艺以移除该隔离层的一部分，使得所述多个隔离结构中每一个的顶面低于所述多个鳍式结构中每一个的顶面。

3.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，还包括：

在该栅极介电层上形成一栅极电极层。

4.如权利要求3所述的鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，还包括：

在该栅极电极层的侧壁表面上形成一间隙物层；以及

在所述多个鳍式结构上和该栅极电极层旁形成一层间介电结构，其中该层间介电结构具有在该第一区上的一第一部分，以及在该第二区上的一第二部分，且该层间介电结构的该第一部分的底面高于该第二部分的底面。

5.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，

其中一第一角度位于该第一鳍式结构的该第一垂直侧壁表面与所述多个第一隔离结构中每一个的顶面之间，一第二角度位于该第三鳍式结构的该第三倾斜侧壁表面与所述多个第二隔离结构中每一个的顶面之间，且该第一角度小于该第二角度。

6.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，其中在该基底上形成所述多个鳍式结构包括：

在该基底上形成一垫层；

在该垫层上形成一硬掩模层；

在该硬掩模层上形成一光致抗蚀剂层；

将该光致抗蚀剂层图案化以形成一图案化光致抗蚀剂层；

使用该图案化光致抗蚀剂层作为掩模，将该硬掩模层和该垫层图案化以形成一图案化硬掩模层和一图案化垫层；以及

使用该图案化硬掩模层和该图案化垫层作为掩模，蚀刻该基底的一部分以形成所述多个鳍式结构。