[发明专利]用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成

说明书

公开了用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成。本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室，第一RPS被耦接到处理腔室的盖，第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中，并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间，用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递通道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化，从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。

技术领域

本文中描述的实现方式通常涉及一种用于形成可流动膜的设备。

背景技术

半导体器件的几何形状在尺寸上自从其数十年前的引入起已急剧减小。现代半导体制造设备通常生产具有45nm、32nm、以及28nm特征尺寸的器件，并且新的设备正被开发和实现以制造具有甚至更小的几何形状的器件。不断减小的特征尺寸造成器件上的结构特征具有减小的宽度。在器件上的间隙和沟槽的宽度较窄，使得利用介电材料填充间隙变得更具有挑战性。近来，已经使用可流动膜填充间隙，诸如高深宽比间隙。为了实现可流动性，已经利用远程等离子体源(RPS)中产生的自由基使用化学气相沉积(CVD)将膜沉积到间隙中。RPS还用于产生自由基以清洁CVD腔室。使用用于沉积和清洁两者的RPS致使RPS以及气体与自由基传递系统中的部件的表面变化，这造成了缺陷、沉积速率漂移、以及短的使用寿命。

因此，需要一种用于形成可流动膜的改进设备。

发明内容

本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，一种环包括：外部部分；内部部分，其中环形通道形成在外部部分与内部部分之间，其中多个通道形成在内部部分中，并且所述多个通道相对于环的中心轴线不对称地设置；上部部分，所述上部部分将外部部分和内部部分连接；以及下部部分，所述下部部分将外部部分和内部部分连接。

在另一实现方式中，一种处理腔室包括：盖；腔室壁，其中盖设置在所述腔室壁上方；喷头，所述喷头设置在盖下方；基板支撑件，所述基板支撑件设置在喷头下方；以及自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间，其中所述自由基传递环包括：外部部分；内部部分，其中多个通道形成在所述内部部分中；上部部分，所述上部部分将所述外部部分和所述内部部分连接；以及下部部分，所述下部部分将所述外部部分和所述内部部分连接。

在另一实现方式中，一种处理腔室包括：盖；第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源设置在盖上方；腔室壁，其中盖设置在所述腔室壁上方；第二远程等离子体源，所述第二远程等离子体源耦接到腔室壁；喷头，所述喷头设置在盖下方；基板支撑件，所述基板支撑件设置在喷头下方；以及自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间。

附图说明

因此，以能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，上文所简要概述的本公开内容的更特定的描述可以参考实现方式获得，一些实现方式示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的所选择的实现方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实现方式。

图1是根据一个实现方式的处理工具的示意俯视平面图。

图2是根据一个实现方式的处理腔室的示意横截面侧视图。

图3是根据一个实现方式的自由基传递环的示意横截面顶视图。

图4A-4B是根据实现方式的自由基传递环的一部分的横截面侧视图。

图5是根据一个实现方式的自由基传递环的示意立体图。

图6是根据另一实现方式的处理腔室的示意横截面侧视图。