[发明专利]一种磁存储器的测试方法、装置、存储介质及电子装置

说明书

本发明提供了一种磁存储器的测试方法、装置、存储介质及电子装置，该方法包括：对所有磁存储器同时施加第一激励，并执行在所有磁存储器中写入数据的写操作，其中，所述第一激励的激励值大于预定阈值，将每个磁存储器置于某一相同状态；在完成所述写操作之后，对所有磁存储器同时施加第二激励，其中，所述第二激励的激励值小于所述预定阈值；在施加了所述第二激励之后，分别读取各个磁存储器中的数据状态；根据读取的各个磁存储器中的数据状态确定磁存储器的读扰动。通过本发明，解决了相关技术中存在的磁存储器的测试耗时长的问题，进而达到了减少磁存储器测试时间的效果。

技术领域

本发明涉及磁存储器测试技术，具体而言，涉及一种磁存储器的测试方法、装置、存储介质及电子装置。

背景技术

基于磁性隧道磁阻(Tunneling Magneto-Resistance，简称TMR)效应的磁存储器，例如磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction，简称MTJ)器件由两层磁性层和介于磁性层中间的介质层组成。第一磁性层(固定层)磁化取向固定，第二磁性层(自由层)磁化取向可通过磁场或电流改变，进而使两层磁性层处于平行或反平行态，对应高电阻态和低电阻态，可以用来存储信息。

利用电流改变MTJ状态的存储器为磁性随机存储器(ST-Magnetic Random AccessMemory，简称ST-MRAM)，这是一种极具潜力的新型存储器。该存储器除了具有电路设计简单，读写速度快，能够无限次擦写等优点外，相对于传统存储器如动态随机存取存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)的最大优势为非易失性(断电数据不丢失)。图1为MRAM数据状态示意图，自由层(磁记录层)的磁性方向可以由外场(H)或者写电流(I)操控。当自由层磁化方向和固定层平行或反平行时，可以分别对应数据0或者1。MRAM的数据保留时间是一个必须准确测定的产品性能指标。数据保存时间需要通过器件MTJ以及芯片测试来确定。

在MTJ器件测试方面，可以通过MTJ写概率随写电流密度的依赖关系或者磁翻转概率的磁场依赖关系等方法推算，传统方法每次只能测试单个器件，要获取统计数据时非常耗时。以利用磁场翻转概率随外磁场大小关系为例，需要重复测试大约200条电阻随磁场变化曲线，每条曲线耗时大约3秒，即1个器件测试时间大约为10分钟。

芯片测试中配合MTJ阵列和地址译码器，可以快速地逐个写入信息然后通过引入外界环境变化来加速数据丢失并测试，常用的方法有温度加速方法和磁场加速方法。温度加速方法需要在不同的温度下烘烤样片，通过测试数据的保持度推算产品的数据保留时间。该方法的缺点是需要假设稳定因子随温度依赖关系，存在不可知误差。磁场加速方法要在不同外磁场下测试，计算热稳定性。该方法缺点是需要的外磁场测试设备。

针对相关技术中存在的磁存储器的测试方法耗时长的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种磁存储器的测试方法、装置、存储介质及电子装置，以至少解决相关技术中磁存储器的测试方法耗时长的问题。

根据本发明的一个实施例，提供了一种磁存储器的测试方法，包括：对所有磁存储器同时施加第一激励，并执行在所有磁存储器中写入数据的写操作，其中，所述第一激励的激励值大于预定阈值，将每个磁存储器置于某一相同状态；在完成所述写操作之后，对所有磁存储器同时施加第二激励，其中，所述第二激励的激励值小于所述预定阈值；在施加了所述第二激励之后，分别读取各个磁存储器中的数据状态；根据读取的各个磁存储器中的数据状态确定磁存储器的读扰动。

可选地，根据读取的各个磁存储器中的数据状态确定磁存储器的读扰动包括：根据读取的各个磁存储器中的数据状态确定状态发生变化的磁存储器的数量；利用所述状态发生变化的磁存储器的数量与所有磁存储器的数量的比值确定磁存储器的读扰动。