[发明专利]光阻图案的形成方法以及刻蚀工艺、曝光设备

权利要求书

1.一种光阻图案的形成方法，其特征在于，包括：

在基板上涂布形成光阻层；

在所述光阻层上设置光掩膜，从所述光掩膜上对所述光阻层进行第一曝光工艺，在所述光阻层中形成具有第一曝光深度的图案化的曝光图形；

从所述光阻层上进行整面曝光的第二曝光工艺，在所述光阻层中形成具有第二曝光深度的曝光层；

通过显影工艺去除所述曝光图形和所述曝光层，获得光阻图案；

其中，所述第二曝光工艺的曝光能量小于所述第一曝光工艺的曝光能量，以使所述第二曝光深度小于所述第一曝光深度。

2.根据权利要求1所述的光阻图案的形成方法，其特征在于，所述第二曝光工艺的曝光能量为所述第一曝光工艺的曝光能量的12％以下。

3.根据权利要求2所述的光阻图案的形成方法，其特征在于，所述第二曝光工艺的曝光能量为所述第一曝光工艺的曝光能量的8％～12％。

4.根据权利要求1所述的光阻图案的形成方法，其特征在于，所述第一曝光深度不小于所述光阻层的厚度。

5.根据权利要求1所述的光阻图案的形成方法，其特征在于，在涂布形成光阻层之后，应用减压干燥工艺去除所述光阻层中的溶剂。

6.一种刻蚀工艺，其特征在于，包括：

形成待刻蚀薄膜层；

采用权利要求1-5任一所述的光阻图案的形成方法，在所述待刻蚀薄膜层上制备形成光阻图案；

在所述光阻图案的保护下，对所述待刻蚀薄膜层进行刻蚀工艺。

7.一种曝光设备，用于对光阻层进行曝光工艺，其特征在于，所述曝光设备包括传送机构和设置在所述传送机构相对上方的第一曝光装置和第二曝光装置，所述第一曝光装置和所述第二曝光装置沿所述传送机构的行进方向上依次设置；

其中，所述第一曝光装置用于执行第一曝光工艺，以在所述光阻层中形成具有第一曝光深度的图案化的曝光图形；所述第二曝光装置用于执行第二曝光工艺，以在所述光阻层中形成具有第二曝光深度的曝光层；

其中，所述第二曝光工艺的曝光能量小于所述第一曝光工艺的曝光能量，以使所述第二曝光深度小于所述第一曝光深度。

8.根据权利要求7所述的曝光设备，其特征在于，所述第二曝光工艺的曝光能量为所述第一曝光工艺的曝光能量的12％以下。

9.根据权利要求8所述的曝光设备，其特征在于，所述第二曝光工艺的曝光能量为所述第一曝光工艺的曝光能量的8％～12％。

10.根据权利要求7所述的曝光设备，其特征在于，所述第一曝光深度不小于所述光阻层的厚度。