[发明专利]去除蚀刻掩模的方法

说明书

实施例的方法包括在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模并使用图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化目标层以形成图案化的目标层。该方法还包括在图案化的蚀刻掩模和图案化的目标层上执行第一清洁工艺，第一清洁工艺包括第一溶液。该方法附加地包括执行第二清洁工艺以去除图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，第二清洁工艺包括第二溶液。该方法还包括在暴露的图案化的目标层上执行第三清洁工艺，并且在暴露的图案化的目标层上执行第四清洁工艺，第四清洁工艺包括第一溶液。本发明实施例涉及去除蚀刻掩模的方法。

技术领域

本发明实施例涉及去除蚀刻掩模的方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化该多个材料层，以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应当解决的附加问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模；使用所述图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化所述目标层，以形成图案化的目标层；对所述图案化的蚀刻掩模和所述图案化的目标层执行第一清洁工艺，所述第一清洁工艺包括第一溶液；执行第二清洁工艺以去除所述图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，所述第二清洁工艺包括第二溶液；对所述暴露的图案化的目标层执行第三清洁工艺；以及对所述暴露的图案化的目标层执行第四清洁工艺，所述第四清洁工艺包括所述第一溶液。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一芯轴层上方形成掩模层；在所述掩模层上方形成第二芯轴层；图案化所述第二芯轴层以在所述第二芯轴层中形成至少一个开口；在所述至少一个开口的侧壁上形成第一间隔件；使用所述第一间隔件作为掩模来图案化所述掩模层，以形成图案化的掩模层；使用所述图案化的掩模层作为掩模来图案化所述第一芯轴层，以形成图案化的第一芯轴层；使用掩模去除工艺来去除所述图案化的掩模层，所述掩模去除工艺在所述图案化的第一芯轴层的侧壁上形成残留物；以及使用残留物去除工艺来去除所述残留物。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在多个掩模层上方形成图案化的芯轴，所述多个掩模层包括第一掩模层和位于所述第一掩模层上面的第二掩模层；在所述图案化的芯轴的侧壁上形成间隔件；使用所述间隔件作为掩模来图案化所述第二掩模层，以形成图案化的第二掩模层；使用干蚀刻工艺去除所述间隔件；使用所述图案化的第二掩模层作为掩模来图案化所述第一掩模层，以形成图案化的第一掩模层；使用所述干蚀刻工艺去除所述图案化的第二掩模层；使用所述图案化的第一掩模层作为掩模来图案化下面的芯轴层，以形成图案化的下面的芯轴层；使用包括磷酸的第一湿去除工艺来去除所述图案化的第一掩模层，所述第一湿去除工艺在所述图案化的下面的芯轴层的侧壁上形成残留物；以及使用第二湿去除工艺去除所述残留物。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1A、图1B和图2至图27示出根据一些实施例的半导体结构的制造的各个中间阶段的俯视图和截面图。

具体实施方式