[发明专利]LED器件、LED灯及加工LED器件的导电线的方法有效
申请号: | 201711214755.1 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107978668B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 曾子恒;杨璐;谢志国;李福海;潘利兵 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 器件 加工 导电 方法 | ||
1.一种LED器件,包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架以及至少一条电性连接LED芯片的导电线,其特征在于,所述导电线为三维结构,其包括依次设置的竖直段、斜向上倾斜的第一应力缓冲段、斜向下倾斜的第二应力缓冲段以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段;
所述竖直段与第一应力缓冲段之间形成第一过渡拐弯段,所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段之间形成第二过渡拐弯段,所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段之间形成第三过渡拐弯段,所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段沿导电线的长度方向依次设置,且所述第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段的弯折方向相反;
所述导电线的一端用于连接LED芯片,另一端用于连接支架或另一LED芯片;
所述支架包括多个电连接区,相邻电连接区通过绝缘区分隔,LED芯片设于电连接区内,所述导电线的竖直段与其中一个电连接区内的LED芯片电连接,所述导电线与竖直段相对的另一端与同电连接区内的另一个LED芯片、相邻电连接区内的LED芯片、同电连接区或相邻电连接区电连接;
所述LED芯片和导电线通过封装胶体覆盖。
2.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段位于绝缘区的同侧。
3.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段位于竖直段所在的LED芯片的正上方。
4.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述竖直段与其中一个电连接区内的LED芯片电连接,所述LED芯片为双电极芯片,当所述双电极芯片采用垂直安装的方式时,所述竖直段与双电极芯片的正电极或者负电极连接,所述第一应力缓冲段向双电极芯片的另一个电极方向倾斜。
5.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述第三应力缓冲段和竖直段处于同一平面。
6.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述导电线还包括设于第三应力缓冲段末端的过渡连接段,所述过渡连接段与水平面之间的夹角小于第三应力缓冲段与水平面之间的夹角,所述过渡连接段远离第三应力缓冲段的端部贴设于支架的表面或另一LED芯片的表面。
7.根据权利要求6所述的LED器件,其特征在于,所述过渡连接段与水平面之间的夹角为A0,0°≤A0≤10°。
8.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述竖直段的高度为H1,30μm≤H1≤50μm。
9.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述导电线最高点与LED芯片上表面之间的高度差为H2,50μm<H2≤70μm。
10.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述第一应力缓冲段在水平面上的投影的长度为L1,80μm≤L1≤120μm;
所述第一应力缓冲段与水平面之间的夹角为A1,0°<A1≤20°。
11.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述第二应力缓冲段在水平面上的投影的长度为L2,80μm≤L2≤120μm;
所述第二应力缓冲段与水平面之间的夹角为A2,0°<A2≤20°;
所述第二应力缓冲段的垂直高度为H3,0μm<H3≤60μm。
12.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件,其特征在于,所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段在水平面上的投影的夹角为A3,60°≤A3≤90°;
所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段在水平面上的投影的夹角为A4,120°≤A4≤135°。
13.一种LED灯,其特征在于,包括权利要求1所述的LED器件。
14.一种加工权利要求1所述的LED器件的导电线的方法,其特征在于,包括如下步骤:
A、将金球焊接在LED芯片对应的电极后,焊头向上运动,线夹放线从而形成竖直段;
B、焊头按设定轨迹运动从而形成第一弯折段,所述第一弯折段为第一应力缓冲段,所述第一应力缓冲段和竖直段之间形成第一过渡拐弯段;
C、焊头按设定轨迹运动从而形成第二弯折段,所述第二弯折段和第一弯折段之间形成第二过渡拐弯段,在形成第二弯折段的过程中,焊头向下压,从而形成第三过渡拐弯段,位于第三过渡拐弯段的两侧分别为第二应力缓冲段和第三应力缓冲段。
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