[发明专利]太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法在审
| 申请号： | 201711213674.X | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109834859A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 韩勇 | 申请（专利权）人： | 四川高铭科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00;B24B27/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 625000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 出片率 配浆 单晶硅片切割 碳化硅微粉 单晶硅棒 太阳能级 粘棒 粘接 切割 烘箱 砂浆搅拌桶 线切割工艺 玻璃 硅片中心 温度设定 胶水 砂浆 定位条 切割线 粘接面 烘烤 镀铜 放入 浆料 进给 压棒 冷却 取出 清洁 配置 | ||
1.一种太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒工艺、配浆工艺、线切割工艺：
粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒；
配浆工艺：a、配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱内至少8个小时，温度设定在70～80℃，至少在配浆前1小时取出冷却；
b、配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶并充分搅拌均匀；
线切割工艺：镀铜切割线的直径为0.1mm，并且线速度在9.3～10.5m/s，工件的进给速度不超过0.3mm/s，砂浆的流量不超过3100L/h。
2.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，所述粘棒工艺中，胶水按照1:1的比例进行调配，并且调胶的速度不超过3分钟。
3.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，粘棒之后采用10kg左右的重物进行压棒，持续至少6小时。
4.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，所述的配浆工艺中，配浆用的切削液，要保存于环境温度为23℃～27℃范围内、湿度控制在60％以内，粘度在26～30范围内。
5.根据权利要求1或4所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，所述的配浆工艺中，配好的浆料必须存放于环境温度在23℃～27℃、湿度在60％的范围内，密度控制在1.625～1.635范围内，粘度在40～60范围内。
6.根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，配浆的比例控制在砂:液＝1:0.92。
7.根据权利要求6所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，其特征在于，配浆的比例控制在砂:液＝1:0.92。
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