[发明专利]电平移位器在审
| 申请号： | 201711211282.X | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108418576A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 坂口薰 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 输出节点 电平移位器 反相 接收输入信号 并联连接 电源电位 反相信号 基准电位 输出信号 同相信号 输入侧 电源 | ||
1.一种电平移位器，其将具有提供给第一电源线的第一电源电压与提供给第二电源线的第二电源电压之间的振幅的输入信号转换成具有所述第一电源电压与提供给第三电源线的第三电源电压之间的振幅的信号而输出，其特征在于，该电平移位器具有：
同相输出节点，其生成转换后的信号的同相信号；
反相输出节点，其生成转换后的信号的反相信号；
第一导电型的第一MOS晶体管，其栅极接收所述输入信号的同相信号，源极与所述第一电源线连接，漏极与所述反相输出节点连接；
第一导电型的第二MOS晶体管，其栅极接收所述输入信号的反相信号，源极与所述第一电源线连接，漏极与所述同相输出节点连接；
第二导电型的第三MOS晶体管，其栅极与所述同相输出节点连接，源极与所述第三电源线连接，漏极与所述反相输出节点连接；
第二导电型的第四MOS晶体管，其栅极与所述反相输出节点连接，源极与所述第三电源线连接，漏极与所述同相输出节点连接；
第一导电型的第五MOS晶体管，其栅极与所述同相输出节点连接，源极与所述第一电源线连接，漏极与所述反相输出节点连接；以及
第一导电型的第六MOS晶体管，其栅极与所述反相输出节点连接，源极与所述第一电源线连接，漏极与所述同相输出节点连接。
2.根据权利要求1所述的电平移位器，其特征在于，
从所述第三电源线向所述反相输出节点的电流提供能力比所述第一MOS晶体管的电流提供能力低，
从所述第三电源线向所述同相输出节点的电流提供能力比所述第二MOS晶体管的电流提供能力低。
3.根据权利要求1或2所述的电平移位器，其特征在于，
所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管的电流提供能力分别比所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的电流提供能力低。
4.根据权利要求1或2所述的电平移位器，其特征在于，
所述电平移位器还具有第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻分别连接在所述第三MOS晶体管与所述反相输出节点之间以及所述第四MOS晶体管与所述同相输出节点之间。
5.根据权利要求1或2所述的电平移位器，其特征在于，
所述电平移位器还具有恒流源，该恒流源连接在所述第三MOS晶体管及所述第四MOS晶体管的源极与所述第三电源线之间。
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