[发明专利]高发光率LED在审

专利信息
申请号: 201711210963.4 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN107863440A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 尹晓雪 申请(专利权)人: 西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/58;H01L33/64
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 代理人: 刘长春
地址: 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 发光 led
【权利要求书】:

1.一种高发光率LED(100),其特征在于,包括散热基板(101)、第一硅胶层(102)、球形透镜(103)、第二硅胶层(104)及LED芯片;其中,所述LED芯片设置于所述散热基板(101)上,所述第一硅胶层(102)设置于所述散热基板(101)及所述LED芯片上,所述球形透镜(103)的下半球均匀设置于所述第一硅胶层(102)内,所述第二硅胶层(104)设置于所述第一硅胶层(102)及所述球形透镜上。

2.根据权利要求1所述的LED(100),其特征在于,所述散热基板(101)内沿宽度方向设置有多个散热通孔。

3.根据权利要求2所述的LED(100),其特征在于,所述散热通孔与所述散热基板(101)表面形成倾角,且所述倾角为1~10度。

4.根据权利要求3所述的LED(100),其特征在于,所述散热基板(101)的厚度为0.5mm~10mm,所述散热通孔的直径为0.2mm~0.4mm,所述散热通孔之间的间距为0.5mm~10mm。

5.根据权利要求1所述的LED(100),其特征在于,所述LED芯片包括蓝宝石衬底、GaN稳定层、GaN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构、P型AlGaN阻挡层、P型GaN层、上电极及下电极;其中,

所述GaN稳定层、所述GaN缓冲层、所述N型GaN层、所述InGaN/GaN多量子阱结构、所述P型AlGaN阻挡层及所述P型GaN层依次层叠于所述蓝宝石衬底上,且所述上电极设置于所述P型GaN层,所述下电极设置于所述N型GaN层。

6.根据权利要求1所述的LED(100),其特征在于,所述第二硅胶层(104)中含有荧光粉材料,所述第一硅胶层(102)中不含有荧光粉材料。

7.根据权利要求6所述的LED(100),其特征在于,所述荧光粉的波长为570nm~620nm。

8.根据权利要求1所述的LED(100),其特征在于,所述球形透镜(103)在所述第一硅胶层(102)表面呈矩形或菱形排列。

9.根据权利要求1所述的LED(100),其特征在于,所述球形透镜(103)的直径为10μm~100μm,且与相邻所述球形透镜(103)的间距为10μm~100μm。

10.根据权利要求1所述的LED(100),其特征在于,所述第一硅胶层(102)、所述球形透镜(103)及所述第二硅胶层(104)的折射率依次增大。

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