[发明专利]高发光率LED在审
| 申请号： | 201711210963.4 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107863440A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/58;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 led | ||
1.一种高发光率LED(100)，其特征在于，包括散热基板(101)、第一硅胶层(102)、球形透镜(103)、第二硅胶层(104)及LED芯片；其中，所述LED芯片设置于所述散热基板(101)上，所述第一硅胶层(102)设置于所述散热基板(101)及所述LED芯片上，所述球形透镜(103)的下半球均匀设置于所述第一硅胶层(102)内，所述第二硅胶层(104)设置于所述第一硅胶层(102)及所述球形透镜上。
2.根据权利要求1所述的LED(100)，其特征在于，所述散热基板(101)内沿宽度方向设置有多个散热通孔。
3.根据权利要求2所述的LED(100)，其特征在于，所述散热通孔与所述散热基板(101)表面形成倾角，且所述倾角为1～10度。
4.根据权利要求3所述的LED(100)，其特征在于，所述散热基板(101)的厚度为0.5mm～10mm，所述散热通孔的直径为0.2mm～0.4mm，所述散热通孔之间的间距为0.5mm～10mm。
5.根据权利要求1所述的LED(100)，其特征在于，所述LED芯片包括蓝宝石衬底、GaN稳定层、GaN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构、P型AlGaN阻挡层、P型GaN层、上电极及下电极；其中，
所述GaN稳定层、所述GaN缓冲层、所述N型GaN层、所述InGaN/GaN多量子阱结构、所述P型AlGaN阻挡层及所述P型GaN层依次层叠于所述蓝宝石衬底上，且所述上电极设置于所述P型GaN层，所述下电极设置于所述N型GaN层。
6.根据权利要求1所述的LED(100)，其特征在于，所述第二硅胶层(104)中含有荧光粉材料，所述第一硅胶层(102)中不含有荧光粉材料。
7.根据权利要求6所述的LED(100)，其特征在于，所述荧光粉的波长为570nm～620nm。
8.根据权利要求1所述的LED(100)，其特征在于，所述球形透镜(103)在所述第一硅胶层(102)表面呈矩形或菱形排列。
9.根据权利要求1所述的LED(100)，其特征在于，所述球形透镜(103)的直径为10μm～100μm，且与相邻所述球形透镜(103)的间距为10μm～100μm。
10.根据权利要求1所述的LED(100)，其特征在于，所述第一硅胶层(102)、所述球形透镜(103)及所述第二硅胶层(104)的折射率依次增大。
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