[发明专利]芯片封装结构的制造方法

说明书

提供芯片封装结构的制造方法，此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，第一介电层是连续的介电层且具有开口。此方法包含在第一介电层上方和在开口中形成第一布线层，第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和第二表面。此方法包含在第一表面上方设置第一芯片和第一导电凸块，在第一表面上方形成第一模制层，以及移除载体基底。此方法还包含在第二表面上方设置第二芯片和第二导电凸块，以及在第二表面上方形成第二模制层。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(Integrated Circuit，IC)工业经历快速成长，在集成电路的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进展也增加了集成电路的处理和制造的复杂度。

在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(亦即使用生产工艺可以产生的最小组件(或线))缩减时，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置数量)通常也增加。此尺寸缩减的工艺通过提高生产效率和降低相关成本而提供了一些效益。

然而，由于不断地缩减部件(feature)尺寸，生产工艺变得更难以实施。因此，以越来越小的尺寸形成可靠的半导体装置是一项挑战。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供芯片封装结构的制造方法。此方法包含在载体基底上方形成第一介电层，其中第一介电层具有第一开口，在第一介电层上方和在第一开口中形成第一布线层，其中第一介电层和第一布线层一起形成重分布结构，且重分布结构具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，在第一表面上方设置第一芯片和第一导电凸块，其中第一导电凸块介于第一芯片和重分布结构之间，在第一表面上方形成第一模制层，以环绕第一芯片和第一导电凸块，移除载体基底，在第二表面上方设置第二芯片和第二导电凸块，其中第二导电凸块介于第二芯片和重分布结构之间，以及在第二表面上方形成第二模制层，以环绕第二芯片和第二导电凸块。

根据本公开的一些实施例，提供芯片封装结构的制造方法。此方法包含在载体基底上方设置第一芯片，其中第一芯片包含基底和在基底上方的导电垫，在载体基底上方形成第一模制层以环绕第一芯片，在第一模制层和第一芯片上方形成介电层，其中介电层具有第一开口，在介电层上方和在第一开口中形成布线层，介电层和布线层一起形成第一重分布结构，第一重分布结构具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第二表面面对第一芯片，且导电垫介于基底和第一重分布结构之间，在第一表面上方形成第一导电柱，其中第一导电柱电性连接至布线层，在第一表面上方设置第二芯片和第一导电凸块，其中第一导电凸块介于第二芯片和第一重分布结构之间，在第一表面上方形成第二模制层以环绕第一导电柱、第二芯片和第一导电凸块，以及移除载体基底。

根据本公开的一些实施例，提供芯片封装结构。此芯片封装结构包含第一重分布结构，其包含介电结构和在介电结构中的多个布线层，其中第一重分布结构具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一芯片在第一表面上方，第一导电凸块介于第一芯片和第一重分布结构之间，第一导电柱在第一表面上方，相邻于第一芯片且电性连接至这些布线层，第二芯片在第二表面上方，其中第二芯片包含基底和在基底上方的导电垫，且导电垫介于基底和第一重分布结构之间，第一模制层在第一表面上方，以环绕第一芯片、第一导电凸块和第一导电柱，以及第二模制层在第二表面上方以环绕第二芯片。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A-图1M是根据一些实施例的形成芯片封装结构的制造过程的各个阶段的剖面示意图。

图2是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面示意图。