[发明专利]一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法在审
| 申请号： | 201711209923.8 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183142A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 韩修训;赵雲;董琛;李佳佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 周瑞华 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜太阳能电池 前驱体溶液 铜锌锡硫硒 薄膜 太阳能电池器件 光电转换效率 短路电流 开路电压 去离子水 填充因子 硒化处理 传统的 低成本 高效率 规模化 可控性 体积比 基底 优化 组装 改良 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法，其特征在于在传统的DMSO基CZTS前驱体溶液中加入去离子水得到优化的CZTS前驱体溶液；然后将优化的CZTS前驱体溶液涂至基底上，经后硒化处理形成CZTSSe薄膜，最后组装太阳能电池器件。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述传统的DMSO基CZTS前驱体溶液与去离子水的体积比为2:1~50:1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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