[发明专利]开关电源控制系统有效

专利信息
申请号: 201711205174.1 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN108512442B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 黄剑锋;林武平;赵春胜;张允超 申请(专利权)人: 昂宝电子(上海)有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M3/335
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 宗晓斌
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 开关电源 控制系统
【权利要求书】:

1.一种开关电源控制系统,所述系统包括滤波整流电路、控制电路、以及输出电路,其中:

所述滤波整流电路的输入端与交流电源相连接,输出端与所述控制电路相连接;

所述控制电路的输入端与所述滤波整流电路的输出端连接,输出端与所述输出电路连接,并且所述控制电路包括反馈分压电阻器、采样保持组件、以及开关驱动组件,其中:

所述采样保持组件被配置为通过所述反馈分压电阻器的分压信号得到采样电压,并且至少部分地基于所述分压信号得到退磁时间,并且

所述开关驱动组件被配置为至少部分地基于所述退磁时间生成驱动信号来驱动功率开关,

其中,所述控制电路还包括供电开关、供电电阻器和静电防护模块,所述供电开关一端与所述反馈分压电阻器连接,另外一端经由所述供电电阻器与所述控制电路的供电电容器连接,并且

其中,所述静电防护模块一端连接在所述供电开关和所述供电电阻器之间,另外一端接地,用于实现所述控制电路的抗静电能力,

其中,所述供电开关包括P沟道金属氧化物半导体PMOS管,所述PMOS管的栅极和源极之间串联有第一电阻器,并且漏极与所述反馈分压电阻器连接,并且其中,所述PMOS管的栅极和源极之间还具有与所述第一电阻器并联的第一开关,所述第一开关受所述控制电路的上电复位信号控制。

2.如权利要求1所述的开关电源控制系统,其中所述控制电路还包括恒流组件,其中所述恒流组件被配置为根据所述功率开关的检测电流值生成恒流信号,并且所述开关驱动组件被配置为至少部分地基于所述退磁时间和所述恒流信号生成驱动信号来驱动所述功率开关。

3.一种包括如权利要求1-2中的任何一项所述的开关电源控制系统的开关电源。

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