[发明专利]一种半导体激光器封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711203984.3 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107749561A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 颜建;胡双元;黄勇;何渊 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器封装结构，其特征在于，包括：热沉(10)，形成在所述热沉(10)第一表面上的焊料层(20)，以及通过所述焊料层(20)焊接在所述第一表面上的半导体激光器管芯(30)，所述半导体激光器管芯(30)的脊区(31)靠近所述焊料层(20)设置；
其中，
所述第一表面上开设有一凹槽(11)，所述凹槽(11)长度方向与所述脊区(31)长度方向平行；且所述脊区(31)设置在所述凹槽(11)的垂直上方。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述凹槽(11)的宽度大于所述脊区(31)宽度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述脊区(31)在所述热沉(10)上的投影在所述凹槽(11)的开口内。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述半导体激光器管芯(30)垂直于所述脊区(31)长度方向的至少一个端面与所述热沉(10)垂直于所述凹槽(11)长度方向的至少一个端面平齐。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述凹槽(11)深度不小于所述脊区(31)高度。
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述脊区(31)轴向中心线与所述凹槽(11)轴向中心线所构成的平面与所述第一平面垂直。
7.一种权利要求1-6任一项所述的半导体激光器封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在热沉(10)的第一表面形成凹槽(11)；
在所述第一表面上形成焊料层(20)；
在所述焊料层(20)上设置半导体激光器管芯(30)，所述半导体激光器管芯(30)的脊区(31)设置在所述凹槽(11)的垂直上方，且所述脊区(31)靠近所述焊料层(20)设置；
熔化所述焊料层(20)，使得所述半导体激光器管芯(30)固定于所述第一表面上。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述脊区(31)在所述热沉(10)上的投影在所述凹槽(11)的开口内。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述焊料层(20)通过热蒸发或电子束蒸发工艺制备。
10.根据权利要求7-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述焊料层(20)通过电阻加热或电子束加热熔化。
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