[发明专利]硅片制绒槽有效
| 申请号： | 201711203658.2 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107988628B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 陈五奎;刘强;冯加保 | 申请（专利权）人： | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/0236;H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 614000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 槽体 加热电阻 硅片制绒槽 一端设置 入水槽 出水槽 匀流板 水箱 竖向 连通 体内 化学反应 加热控制器 温度传感器 保温加热 工艺调整 搅拌装置 依次设置 出水口 工艺槽 温度控 电阻 可控 竖直 制绒 保证 | ||
1.硅片制绒槽，其特征在于：包括槽体(1)、加热控制器(9)；所述槽体(1)的一端设置有入水槽(2)，另一端设置有出水槽(3)；
所述入水槽(2)一端通过第一匀流板(7)与槽体(1)连通，另一端的上方设置有与入水槽(2)连通的入水箱(4)；所述入水箱(4)具有入水口(41)，所述入水槽(2)内由入水槽(2)的一端向另一端依次设置有横向加热电阻(12)、竖向加热电阻(5)以及搅拌装置(6)；所述横向加热电阻(12)位于入水箱(4)的下方；且在竖直方向上均匀分布；所述竖向加热电阻(5)沿水平方向上均匀分布；所述搅拌装置(6)位于第一匀流板(7)的一侧；
所述出水槽(3)的一端通过第二匀流板(8)与槽体(1)连通，另一端设置有出水口(31)；所述槽体(1)的底部设置有保温加热电阻(10)，所述槽体(1)内设置有温度传感器，所述温度传感器、横向加热电阻(12)、竖向加热电阻(5)以及保温加热电阻(10)均与加热控制器(9)电连接。
2.如权利要求1所述的硅片制绒槽，其特征在于：所述槽体(1)具有的开槽口的上端上设置有保温加热装置(11)。
3.如权利要求2所述的硅片制绒槽，其特征在于：所述竖向加热电阻(5)端延伸到槽体(1)内，另一端设置有固定安装板，所述竖向加热电阻(5)穿过固定安装板且与固定安装板螺纹配合。
4.如权利要求3所述的硅片制绒槽，其特征在于：所述搅拌装置(6)包括驱动电机、搅拌轴；所述搅拌轴竖直插入到槽体(1)内，所述搅拌轴上设置有搅拌叶片，所述搅拌轴通过驱动电机驱动转动。
5.如权利要求4所述的硅片制绒槽，其特征在于：所述搅拌叶片在搅拌轴上沿轴线方向均匀分布，且沿搅拌轴的圆周方向均匀分布。
6.如权利要求5所述的硅片制绒槽，其特征在于：所述搅拌轴的轴线方向上同一高度的搅拌叶片为搅拌叶片组；每组搅拌叶片组至少包括三片搅拌叶片。
7.如权利要求6所述的硅片制绒槽，其特征在于：在搅拌轴上至少具有三组搅拌叶片组。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
