[发明专利]半导体硅片的清洗方法

说明书

本发明的半导体硅片的清洗方法，依次包括以下步骤：将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。本发明的清洗方法能高效去除半导体硅片的异常背面金属，从而提高半导体产品的成品率。

技术领域

本发明涉及半导体硅片领域，尤其涉及一种半导体硅片的清洗方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，在硅片的背面会需要形成一层或者多层结构的含金成分的金属(背面金属，简称背金)。但是如果背面金属的表面出现异常，例如出现金属氧化物、污染物等，则会影响后道封装和器件的可靠性，导致在线报废率很高。

故此，亟需一种改进的半导体硅片的清洗方法，以克服以上的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体硅片的清洗方法，其能高效去除半导体硅片上异常的背面金属，从而提高半导体硅片的重复利用率，提高半导体产品的成品率。

为实现上述目的，本发明的半导体硅片的清洗方法，依次包括以下步骤：

将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；

将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；

将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及

采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。

与现有技术相比，本发明的半导体硅片的清洗方法依次采用氢氟酸和双氧水的混合液、异丙醇溶剂，氨水、双氧水和去离子的混合液，臭氧水和氢氟酸溶液进行浸泡清洗，可有效去除半导体硅片的有缺陷的背面金属，从而可重新形成品质良好的背面金属，因此节省半导体材料成本，且提高半导体产品的成品率。

较佳地，在所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中，所述氢氟酸和所述双氧水的比例为3：1。

较佳地，在所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中，所述氢氟酸的浓度为4％-8％。

较佳地，半导体硅片置于所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡的温度为20-30℃。

较佳地，在所述氨水、双氧水和去离子水的混合液中，所述氨水、所述双氧水和所述去离子水的比例为1：1：5。

较佳地，半导体硅片置于所述氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡的温度为45-55℃，时间为10-15分钟。

较佳地，在采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片的步骤之后，还包括采用去离子水冲洗该半导体硅片。

较佳地，采用去离子水冲洗该半导体硅片的步骤之后，还包括将该半导体烘干。

较佳地，在该半导体在异丙醇溶剂中浸泡和在氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡前，分别采用去离子水冲洗该半导体硅片的表面。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的半导体硅片的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。

本发明的半导体硅片的清洗方法的一个实施例依次包括以下步骤：

将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；

将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；

将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及

采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。