[发明专利]一种柔性阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201711201264.3 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107946247B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 胡俊艳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性阵列基板,其特征在于,包括:
玻璃基板;
柔性衬底基板,形成于所述玻璃基板的表面;
缓冲层,形成于所述柔性衬底基板的表面;
有源层,形成于所述缓冲层的表面;
栅绝缘层,形成于所述有源层的表面,所述栅绝缘层将所述有源层与所述缓冲层覆盖;
第一金属层,形成于所述栅绝缘层表面,所述第一金属层经图案化处理,形成薄膜晶体管的栅极与栅线;
间绝缘层,形成于所述第一金属层表面,所述间绝缘层将所述第一金属层与所述栅绝缘层覆盖;以及
柔性有机层,形成于所述间绝缘层表面;
第二金属层,形成于所述间绝缘层表面,所述第二金属层经图案化处理,形成源电极和漏电极,所述源电极包括第二过孔,所述漏电极包括第三过孔;
钝化层,形成于所述第二金属层表面;
所述柔性阵列基板还包括至少两个第一过孔,所述第一过孔中所填充的材料与所述柔性有机层的材料相同;
所述第一过孔为连续的孔洞,所述第一过孔形成于相邻的薄膜晶体管之间,所述第一过孔围绕所述薄膜晶体管设置,并将各薄膜晶体管隔开;
其中,所述源电极和所述漏电极与所述柔性有机层位于同一膜层结构上。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述柔性有机层是通过对沉积于所述间绝缘层表面上的柔性有机材料进行图案化处理,并保留经过图案化处理的所述柔性有机材料的至少一部分来形成的;
所述源电极和所述漏电极是通过对沉积于所述间绝缘层表面上的第二金属层进行图案化处理,并保留经过图案化处理的所述第二金属层的至少一部分来形成的。
3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述源电极、所述漏电极分别通过所述第二过孔、所述第三过孔与所述有源层相连通。
4.一种柔性阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
步骤S20、在栅绝缘层上沉积第一金属层,使用第一光罩对所述第一金属层实施第一光罩制程,以在所述栅绝缘层表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线;
步骤S30、在所述第一金属层上沉积间绝缘层,并在所述间绝缘层上形成至少两个第一过孔;
步骤S40、在所述间绝缘层上沉积所述柔性有机层,其中,所述第一过孔中所填充的材料与所述柔性有机层的材料相同;
步骤S50、在所述间绝缘层上沉积第二金属层,使用第二光罩对所述第二金属层实施第二光罩制程,以在所述间绝缘层表面形成源电极、漏电极;
步骤S60、在所述第二金属层上沉积钝化层;
所述第一过孔为连续的孔洞,所述第一过孔形成于相邻的薄膜晶体管之间,所述第一过孔围绕所述薄膜晶体管设置,并将各薄膜晶体管隔开;
其中,所述源电极和所述漏电极与所述柔性有机层位于同一膜层结构上。
5.根据权利要求4所述的柔性阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
步骤S10,提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上依次沉积柔性衬底基板、缓冲层、有源层以及所述栅绝缘层。
6.根据权利要求4所述的柔性阵列基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S40包括:
步骤S41、在所述间绝缘层上沉积所述柔性有机材料;
步骤S42、对所述柔性有机材料进行图案化处理,并保留经过图案化处理的所述柔性有机材料中靠近所述第一过孔的部分,以形成所述柔性有机层。
7.根据权利要求4所述的柔性阵列基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S50包括:
步骤S51、在所述间绝缘层上沉积第二金属层;
步骤S52,在所述第二金属层上涂布光刻胶;
步骤S53,在所述光刻胶经曝光、显影后,对所述第二金属层进行蚀刻,以去除未被光刻胶遮挡的第二金属层,形成至少两个源电极、漏电极以及与所述源电极对应的第二过孔、与所述漏电极对应的第三过孔;
步骤S54,剥离光刻胶。
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