[发明专利]一种可挠性覆铜液晶高分子基板的制备方法有效
| 申请号： | 201711194535.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107791657B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 侯曦月;杨刚 | 申请（专利权）人： | 成都多吉昌新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B37/12 | 分类号： | B32B37/12;B32B37/10;B32B38/00;B32B38/16 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金琼;刘东 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可挠性覆铜 液晶 高分子 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可挠性覆铜液晶高分子基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤1：将LCP材料加入到溶剂中，然后进行充分的磨砂得到LCP胶水；
步骤2：将步骤1所得的LCP胶水涂布在一层铜箔上(2)，然后用隧道烘箱烘干，使LCP胶水成为LCP胶层(1)；
步骤3：将步骤2所得的带有LCP胶层(1)的铜箔(2)与另一层铜箔(2)经低温压机进行压合，得到LCP基板；
步骤4：将步骤3所得的LCP基板放入程式烘箱进行后固化，得到可挠性覆铜液晶高分子基板；
所述步骤3中将烘干后带有LCP胶层(1)的铜箔(2)与另一层铜箔(2)压合时，低温压机的温度在70℃-100℃，压强在0.1MPa-0.2MPa，线速在3-10m/min；
所述步骤4中后固化时，程式烘箱的温度在150℃-200℃，在最高温度保持2h-4h；
所述步骤2中烘干时，隧道烘箱的温度在130℃-180℃，时间在1min-4min。
2.根据权利要求1所述的可挠性覆铜液晶高分子基板的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的溶剂选自甲苯、环己酮或DMF。
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