[发明专利]一种太赫兹探测器结构

权利要求书

1.一种太赫兹探测器结构，其特征在于，包括：包括由下至上依次层叠的衬底、晶体层、非掺杂 InP 缓冲层、InGaAs 沟道层/InAlAs 势垒层和 GaAs 接触层、；所述 InGaAs 沟道层和 InAlAs 势垒层之间形成二维电子气；

所述探测器顶部开设第一电极孔，电极孔深度从所述接触层顶部延伸到势垒层内部，电极孔内放置第一电极，电极顶端设置外侧探测延伸装置；

所述晶体层和缓冲层两端开设第二电极孔，电极孔深度从沟道层延伸至衬底，电极孔内放置第二电极，所述第二电极接地。

2.根据权利要求 1 所述的太赫兹探测器结构，其特征在于：所述第一电极金属为 Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au 的多层金属，第二电极金属为Ti/Pt/Au 多层金属。

3.根据权利要求 1 所述的太赫兹探测器结构，其特征在于：所述衬底为 InP 衬底、Si衬底、SiC 衬底或蓝宝石衬底中的一种。

4.根据权利要求 1 所述的太赫兹探测器结构，其特征在于：InGaAs沟道层厚度为 100～190Å，用于在低场下为二维电子气提供导电沟道。