[发明专利]存储电路及操作存储电路的方法

权利要求书

1.一种存储电路，包括：

沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；

多个字线，每个字线与所述多个电可编程存储单元中的一个或更多个电可编程存储单元耦接；

多个位线(110)，每个位线与所述一个或更多个电可编程存储单元相关联；

多个源线(112)，每个源线和所述一个或多个电可编程存储单元相关联；

多个电可编程非易失性标记存储单元；

其中，所述多个字线中的至少一个字线与所述多个电可编程非易失性标记存储单元中的一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元相关联；以及

多个标记位线(110m)，每个标记位线与所述多个电可编程非易失性标记存储单元中的一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元相关联；

多个标记源线(112m)，每个标记源线与所述多个电可编程非易失性标记存储单元中的一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元相关联；

其中，对于所述多个电可编程非易失性标记存储单元中的一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元，设置从相关联的标记源线和/或从相关联的标记位线到所述一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元的物理连接，从而将所述一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元限定成不能改变的存储状态，其中，所述多个电可编程非易失性标记存储单元被配置成识别处于所述不能改变的存储状态的相应的一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元的相关联的字线，

其中，所述多个标记位线(110m)中的至少一个标记位线至少部分地包括所述位线(110)或由所述位线(110)构成，以及

其中，所述多个标记源线(112m)中的至少一个标记源线至少部分地包括所述源线(112)或由所述源线(112)构成。

2.根据权利要求1所述的存储电路，

其中，所述多个电可编程非易失性标记存储单元(102m)被布置在所述多个电可编程存储单元(102)内部。

3.根据权利要求1或2所述的存储电路，

其中，所述多个电可编程存储单元(102)中的至少一个被分配为电可编程非易失性标记存储单元(102m)。

4.根据权利要求1或2所述的存储电路，

其中，所述电可编程非易失性标记存储单元形成代码，所述代码被配置成识别处于所述不能改变的存储状态的相应的一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元的相关联的字线。

5.根据权利要求1或2所述的存储电路，

其中，所设置的从相关联的标记源线和/或从相关联的标记位线到所述一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元的物理连接，是从相关联的标记源线和/或从相关联的标记位线到所述一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元的断开物理连接。

6.根据权利要求5所述的存储电路，

其中，从相关联的标记源线和/或从相关联的标记位线到所述一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元的所述断开物理连接中的每一个被配置成断开与一对相邻字线相关联的一对两个相邻存储单元。

7.根据权利要求6所述的存储电路，

其中，所述一个或更多个电可编程非易失性标记存储单元包括与第一对相邻字线相关联的第一对两个相邻存储单元以及第二对两个相邻存储单元，其中，所述第二对中的一个存储单元与所述第一对相邻字线中的一个字线相关联，而所述第二对中的另一个存储单元与不同于所述第一对相邻字线的字线相关联。

8.根据权利要求1或2所述的存储电路，

其中，所述存储电路被配置成：同时读取耦接至所述多个字线中的一个字线的一个或更多个电可编程存储单元以及与所述字线相关联的所述电可编程非易失性标记存储单元中的一个或更多个。