[发明专利]半导体装置及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201711191020.1 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN109216166A 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 黄冠维;陈育裕 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;张福根
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 间隔层 间隔物 半导体装置 反相材料 心轴 移除 掩模层图案 蚀刻掩模 图案化 掩模层 侧壁 沉积 垂直
【说明书】:

提供一种半导体装置的形成方法,包括:将第一掩模层上方的多个第一心轴图案化。方法还包括:形成第一间隔层在第一心轴的侧壁和顶部上。方法还包括:移除第一间隔层的水平部分,其中第一间隔层的剩余垂直部分形成第一间隔物。方法还包括:在移除第一间隔层的水平部分之后,沉积反相材料于第一间隔物之间。方法还包括:将第一间隔物和反相材料组合并作为第一蚀刻掩模以将第一掩模层图案化。

技术领域

发明实施例关于一种半导体装置的形成方法。

背景技术

随着半导体装置持续地微缩化(down-scaling),各种制程技术(例如微影)适用于允许制造尺寸越来越小的装置。然而,随着半导体制程具有越来越小的制程容许范围(process windows),这些装置的制造已经接近甚至超过了微影设备的理论极限。随着半导体装置持续地缩小,元件之间所需的间隔(即,间距)小于可使用传统光学掩模和微影设备所能够制造的间距。

发明内容

根据一些实施例,本发明提供一种半导体装置的形成方法,包括:形成第一掩模层于基底上;将第一掩模层上方的多个第一间隔物图案化;形成抗反射层于第一间隔物上方;形成蚀刻停止层于抗反射层上方;形成第二掩模层于蚀刻停止层上方;将第二掩模层中的多个开口图案化,该些开口的每一个上覆于第一间隔物的相应的一对;使该些开口延伸穿过该抗反射层及第一间隔物的相应的一对之间;形成反相材料于第二掩模层上方及该些开口之中;移除抗反射层、蚀刻停止层及第二掩模层;及使用第一间隔物及反相材料的剩余部分作为第一蚀刻掩模,以将第一掩模层图案化。

根据一些实施例,本发明提供一种半导体装置的形成方法,包括:将第一掩模层上方的多个第一心轴图案化;形成第一间隔层在第一心轴的侧壁和顶部上;移除第一间隔层的水平部分,其中第一间隔层的剩余垂直部分形成第一间隔物;在移除第一间隔层的水平部分之后,沉积反相材料于第一间隔物之间;以及将第一间隔物和反相材料组合并作为第一蚀刻掩模以将第一掩模层图案化。

根据一些实施例,本发明提供一种半导体装置的形成方法,包括:形成多个间隔物在目标层上方;形成抗反射层在间隔物上方;在抗反射层上形成第一掩模层;形成第一三层光阻在第一掩模层上方;使用第一三层光阻并利用第一开口以将第一掩模层图案化;移除第一三层光阻;形成第二三层光阻在第一掩模层上方;使用第二三层光阻并利用第二开口以将第一掩模层图案化;移除第二三层光阻;以及沉积反相材料在第一和第二开口之中,反相材料设置在间隔物之间。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明的实施例,应注意的是,依照工业上的标准实施,以下图示并未按照比例绘制,事实上,可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征。而在说明书及附图中,除了特别说明外,同样或类似的元件将以类似的符号表示。

图1至图13绘示根据一些实施例,形成在晶片100上的目标层102中的特征的中间阶段的剖面图。

图14A至22B绘示根据一些示例性实施例,形成目标层中的特征的另外的中间阶段的透视图和剖面图。

图23A至26B绘示根据一些示例性实施例,形成目标层中的特征的另外的中间阶段的顶视图和剖面图。

【符号说明】

晶片 100

目标层 102

第一区 100A

第二区 100B

蚀刻停止层 104

抗反射涂层(ARC) 106

硬掩模层 108

第一介电硬掩模层 110

第一心轴层 112

第二介电硬掩模层 114

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