[发明专利]电压切换装置及方法有效
申请号: | 201711189355.X | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109039326B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 陈至仁;许庭硕 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩华;姚开丽 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 切换 装置 方法 | ||
本发明公开了一种电压切换装置及方法,电压切换装置包括接收器、电压控制开关、第一电压产生电路、电压检测器与第一开关电路。电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间,第一电压产生电路提供第一电压。当检测到第一电压高于预定电压时,电压检测器输出第一逻辑信号。第一开关电路连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间,第一开关电路根据第一逻辑信号接通,使电压控制开关由第一电压接通,而数据从输入数据端发送到接收器,让接收器始终得到正确的数据。
技术领域
本发明是有关于电压切换装置及电压切换方法。
背景技术
闩锁是在集成电路(IC)中可能发生的一种短路。更具体地说,在MOSFET电路的电源轨之间无意中产生低阻抗路径,从而触发破坏部件正常功能的寄生结构,甚至可能导致其由过电流引起的破坏。
在一些方法中,电压产生器提供泵浦电压(例如VCCP),并且接收器使用泵浦电压来导通MOSFET电路的栅极。如果发生电压发生器的闭锁,泵浦电压将下降,MOSFET电路不能将输入信号传递给接收器。这使得产品工程师难以进行除错和分析。
发明内容
本发明提出一种创新的电压切换装置及电压切换方法,以解决先前技术的困境。
在本发明的一实施例中,一种电压切换装置包括接收器、电压控制开关、第一电压产生电路、电压检测器与第一开关电路。电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间,第一电压产生电路提供第一电压。当检测到第一电压高于预定电压时,电压检测器输出第一逻辑信号。第一开关电路连接在第一电压产生电路与电压控制开关之间,第一开关电路根据第一逻辑信号接通,使电压控制开关由第一电压接通,而数据从输入数据端发送到接收器。
在本发明的一实施例中,电压切换装置还包括第二电压产生电路与第二开关电路:在电压检测器输出第二逻辑信号之后,当检测到第一电压低于预定电压时,第二电压产生电路提供第二电压;第二开关电路,连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间,其中第一开关电路根据第二逻辑信号而关闭,并且第二开关电路根据第二逻辑信号而接通,使电压控制开关由第二电压接通,数据从输入数据端发送到接收器。
在本发明的一实施例中,第一开关电路包括第一半导体开关与第一反相器。第一半导体开关连接于第一电压产生电路与电压控制开关之间;第一反相器连接在电压检测器和第一开关之间,其中当电压检测器输出第一逻辑信号时,第一反相器将第一逻辑信号反相转换成第二逻辑信号以接通第一半导体开关,使第一电压产生电路输出第一电压,通过第一半导体开关打开电压控制开关。
在本发明的一实施例中,第一逻辑信号是逻辑高电平信号,第二逻辑信号是逻辑低电平信号,并且第一半导体开关是PMOS晶体管。
在本发明的一实施例中,第二开关电路包括第二半导体开关与第二反相器。第二半导体开关连接在第二电压产生电路与电压控制开关之间;第二反相器连接在电压检测器与第二电压产生电路之间,其中当电压检测器将第二逻辑信号输出到第一反相器时,第二反相器及第二半导体开关,其中第一反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号以关闭第一半导体开关,第二反相器将第二逻辑信号反转为第一逻辑信号,以启用第二电压产生电路,并且第二半导体开关由第二逻辑信号打开,使得第二电压产生电路输出第二电压以通过第二半导体开关打开电压控制开关。
在本发明的一实施例中,第一逻辑信号是逻辑高电平信号,第二逻辑信号是逻辑低电平信号,并且第二半导体开关是PMOS晶体管。
在本发明的一实施例中,电压控制开关是NMOS晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711189355.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。