[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的提纯方法有效
申请号: | 201711189123.4 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN109809393B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 韩杰 | 申请(专利权)人: | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C01B32/17 | 分类号: | C01B32/17 |
代理公司: | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人: | 李伟波;韩德凯 |
地址: | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 性单壁碳 纳米 提纯 方法 | ||
1.一种从含有半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管的溶液中提纯半导体性单壁碳纳米管的方法,其特征在于,包括:
混合步骤:将共轭聚合物或共轭小分子、与碳纳米管原料混合在用于提纯半导体性碳纳米管的有机溶剂中;
分散液形成步骤:形成碳纳米管分散液;
第一离心步骤:将所述碳纳米管分散液进行离心处理,以获得上清液;
添加步骤:在所述上清液中添加低极性溶剂,所述低极性溶剂用于改变所述上清液的介电环境;
第二离心步骤:将所述低极性溶剂添加步骤得到的溶液进行离心处理,获得高纯度的半导体性碳纳米管溶液;以及
获取步骤:获取通过上述第二离心步骤得到的上清液,以获取提纯的半导体性单壁碳纳米管溶液。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述第二离心步骤和所述获取步骤反复执行两次以上。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二离心步骤的离心处理的离心速度为2000rpm~100000rpm;所述第二离心步骤的离心处理的时间为5分钟~300分钟。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述低极性溶剂为己烷到十六烷的烷烃类溶剂、和环己烷中的至少一种。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,在所述添加步骤中,加入的所述低极性溶剂与第一离心步骤获得的上清液的体积比为1%~40%。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述共轭聚合物或共轭小分子、与碳纳米管原料的质量比为0.1:1~20:1。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述共轭聚合物为聚噻吩、聚咔唑或聚芴中的至少一种,所述用于提纯半导体性碳纳米管的有机溶剂为甲苯、二甲苯、环己烷、氯仿、四氢呋喃、甲基环己烷、乙基环己烷、氮甲基吡咯烷酮、和二甲基亚砜中的至少一种。
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