[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，包括基板，在所述基板上设置有多条数据线、多条虚设数据线、多条第一栅极线和多条第二栅极线，多条所述数据线和多条所述虚设数据线呈纵向交替间隔布置，多条所述第一栅极线和多条所述第二栅极线呈横向交替间隔布置，在多条所述数据线、多条所述虚设数据线、多条所述第一栅极线和多条所述第二栅极线之间围设有多组像素单元，每组所述像素单元均包括一奇数列第一薄膜晶体管和一偶数列第二薄膜晶体管，每组两相邻的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极共同连接在所述数据线上，每组相邻的两所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极均分别连接在所述第一栅极线和所述第二栅极线上，各所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的漏极分别连接一像素电极；各所述虚设数据线的两端分别通过一共同电压电极线连接，所述共同电压电极线横向设置在所述基板上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，在每一所述数据线的上方均设置有一遮光电极线，多个所述遮光电极线与多个所述像素电极之间呈交替间隔布置。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，各所述虚设数据线的两端分别通过过孔共同连接在共同电压电极线上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，每列所述第一薄膜晶体管均包括多个间隔布置的所述第一薄膜晶体管，每列所述第二薄膜晶体管均包括多个间隔布置的所述第二薄膜晶体管。

5.一种基于权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在基板上沉积第一金属层，通过光刻工艺形成多条第一栅极线、多条第二栅极线和两条共同电压电极线；2)在第一金属层的表面沉积栅绝缘层，并在栅绝缘层的表面沉积半导体活性层，接着在半导体活性层的表面形成欧姆接触层；3)在硅岛结构的表面沉积第二金属层，通过光刻工艺形成源极、漏极和多条数据线；4)在第二金属层的表面沉积第一绝缘保护层；5)利用黄光工艺制作红色色组、绿色色组和蓝色色组；6)在半导体活性层、源极和漏极的外部沉积第二层绝缘保护层，通过光刻工艺形成过孔；7)在第二绝缘保护层的表面沉积透明导电层，通过光刻工艺形成多个像素电极和多条虚设数据线，且将各虚设数据线的两端分别通过过孔连接在两条共同电压电极线上。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤1)中，在基板上通过物理气相沉积形成第一金属层，第一金属层采用铝、钼、铜或合金制成，第一金属层的厚度为3000～6000埃米；在第一金属层上通过掩模板依次进行曝光、显影、湿刻和剥离形成多条第一栅极线、多条第二栅极线和两条共同电压电极线。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤2)中，在第一金属层的表面通过等离子体增强化学气相沉积形成栅绝缘层，栅绝缘层为氮化硅膜或氧化硅膜，栅绝缘层的厚度为2000～5000埃米；在欧姆接触层上通过掩模板依次进行曝光、显影、干刻和剥离形成硅岛结构；半导体活性层为非晶硅层，半导体活性层的厚度为1500～3000埃米。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤3)中，第二金属层采用铝、钼、铜或合金制成，第二金属层的厚度为3000～6000埃米，在第二金属层上通过灰色调掩模板依次进行曝光、显影、一次金属蚀刻、一次干刻、两次蚀刻、两次干刻和剥离形成源极、漏极和多条数据线。

9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤4)中，在第二金属层的表面通过等离子体增强化学气相沉积形成第一绝缘保护层，第一绝缘保护层为氮化硅膜或氧化硅膜，第一绝缘保护层的厚度为500～2000埃米。

10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤6)中，在半导体活性层、源极和漏极的外部通过等离子体增强化学气相沉积形成第二层绝缘保护层，第二绝缘保护层为氮化硅膜或氧化硅膜，第二绝缘保护层的厚度为500～2000埃米，在第二绝缘保护层上通过掩模板依次进行曝光、显影、干刻和剥离形成过孔；在所述步骤7)中，在第二绝缘保护层的表面通过物理气相沉积形成透明导电层，透明导电层的厚度为400～1000埃米，在透明导电层上通过掩模板依次进行曝光、显影、蚀刻和剥离形成多个像素电极和多条虚设电极线。