[发明专利]一种解除连作障碍的花生高产栽培法

权利要求书

1.一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，具体包括如下步骤：

(1)整地：花生播种前25～30天，每亩铺施石灰氮15～17.5kg及棉隆10～15kg，进行耕地，深翻25～30cm，旋耕2～3次后，充分碎土进行平整；

(2)起垄覆膜：按花生常规种植规格起垄覆膜，覆膜同时铺设滴灌管；

(3)滴灌：通过滴灌管向土壤中滴灌水调控土壤水分，控制水渗透到20cm以上深度；

(4)打播种孔：花生播种前2～3天按常规穴距在膜上打播种孔，释放有毒气体；

(5)播种：控制播种深度2～3cm，在膜的播种孔上覆盖1～2cm的土，播种后及时通过滴灌管进行滴灌，滴灌时，随水滴入液体花生根瘤菌剂，按照每亩800～1000ml的量补充根瘤菌；

(6)滴灌补菌：在花生四叶期时进行滴灌，随水滴入复合微生物菌剂8～10L/亩，补充有益菌。

2.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(1)中的石灰氮为CaCN₂质量含量≥50％的颗粒状。

3.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(1)中棉隆为四氢化-3,5-二甲基-2H-1,3,5-噻二嗪-2-硫酮的百分比含量≥98％的微粒剂。

4.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(2)中花生常规种植规格为垄距85cm左右，垄面宽50～55cm，垄高8～10cm，垄上播2行，垄上行距30～35cm，穴距13～17cm，采用每穴2粒的双粒穴播方式，即12万～15万穴/公顷。

5.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(2)中；根据气温的不同，覆膜时间为：

低温5～15度 20～30天

中温15～5度 10～15天

高温25～30度7～10天。

6.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(3)中滴灌使土壤水分保持在50％～60％，手捏土成团状，用手指触压就会倒塌的状态。

7.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(5)中的花生根瘤菌剂的有益活菌数≥20.0亿/ml。

8.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(6)中的复合微生物菌剂为有益活菌数≥5.0亿/克的胶冻样类芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌、地衣芽孢杆菌、解淀粉芽孢杆菌，以及占复合微生物菌剂质量百分含量≥25％的N+P₂O₅+K₂O，以及占复合微生物菌剂质量百分含量≥25％的有机质。

9.根据权利要求1所述一种解除连作障碍的花生高产栽培法，其特征在于，所述步骤(6)中的有益菌按照8～10L/亩的施用量补充。