[发明专利]一种提升LED性能的LED制备方法以及LED芯片

说明书

本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为Ga_xIn_(1‑x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种提升LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)性能的LED制备方法以及LED芯片。

背景技术

LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。

现有技术中提出了一种采用GaP电流扩展层来提高LED芯片发光效率的方法。但是传统的GaP电流扩展层存在成本过高，外延质量差的缺点。

由于ITO(氧化铟锡)的高透过率和低电阻率，对可见光透过率可达85％以上，低电阻率(10-3Ω·cm～10-4Ω·cm)，较宽的能隙(Eg＝3.6eV～3.9eV)，红外反射率大于80％，紫外吸收率大于85％，同时还具有高硬度、耐磨、耐化学腐蚀特性以及容易刻蚀成一定形状的电极图形等诸多优点，用ITO透明导电膜作为电流扩展层的技术较好的解决了这一问题，能够降低了芯片成本。

但是，随着照明市场的发展，提高LED芯片的出光率，仍然是LED的发展趋势。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种提升LED性能的LED制备方法以及LED芯片，以解决现有技术中LED芯片的出光率有待提高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种提升LED性能的LED制备方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括衬底，和位于所述衬底上，沿背离所述衬底方向依次设置的缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；

在所述半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，所述图形化欧姆接触层为Ga_xIn_(1-x)N材质，其中x的取值范围为0.5-1，包括0.5，不包括1；

在所述图形化欧姆接触层以及所述第二型半导体层上形成电流扩展层，所述电流扩展层包括：ITO、IZO、IGO或ZnO；

其中，所述电流扩展层与所述欧姆接触层的厚度总和小于或等于

优选地，所述欧姆接触层Ga_xIn_(1-x)N中x取值范围为：0.7-0.75，包括端点值。

优选地，所述在所述半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，具体包括：

在所述半导体衬底上采用外延生长方式生长一整层欧姆接触层；

对所述欧姆接触层进行刻蚀，形成图形化欧姆接触层。优选地，所述对所述欧姆接触层进行刻蚀，形成图形化欧姆接触层，具体包括：

采用干法蚀刻工艺对所述欧姆接触层进行刻蚀，形成图形化欧姆接触层。

优选地，所述干法蚀刻工艺为感应耦合等离子蚀刻工艺。

优选地，所述图形化欧姆接触层的厚度范围为：包括端点值。