[发明专利]一种间接弥散强化铂金通道的方法在审

专利信息
申请号: 201711186989.X 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN109837498A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 赵龙江 申请(专利权)人: 彩虹显示器件股份有限公司
主分类号: C23C4/134 分类号: C23C4/134;C23C4/11
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 712000 陕西省咸阳*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 铂金通道 弥散强化 铂金 高温抗蠕变性 等离子喷涂 氧化锆涂层 金属基体 扩散作用 膨胀性能 玻璃液 第二相 氧化锆 结石 不溶 挥发 喷涂 外壁
【说明书】:

一种间接弥散强化铂金通道的方法,通过等离子喷涂,在铂金通道外壁喷涂一层不溶于金属基体的第二相氧化锆涂层,通过在高温下颗粒之间的渗透扩散作用间接弥散强化铂金,此方法一方面提高了铂金通道在高温下的耐膨胀性能及高温抗蠕变性能,另一方面防止了铂金在高温下的氧化挥发,且避免了玻璃液与氧化锆直接接触产生锆结石。

技术领域

发明属于液晶基板玻璃生产加工领域,具体涉及一种间接弥散强化铂金通道的方法。

背景技术

铂金通道是TFT-LCD液晶玻璃基板生产中一个至关重要的部件,主要作用是澄清、均化、调整玻璃液黏度,为下道工序提供合格优质的玻璃液。但是纯铂在高温条件下晶粒容易长大,高温强度和高温蠕变性能下降,不能满足TFT-LCD液晶玻璃基板生产过程中的工况要求。铑元素的引入通过固溶强化在一定程度上可以提高铂金的高温性能,但是铂金裸露在空气中很容易被氧化和高温下产生挥发。

发明内容

本发明采用等离子喷涂的方法,在铂金通道外壁喷涂一层不溶于基体金属的第二相钇稳定氧化锆涂层,在不影响TFT-LCD玻璃基板产生锆结石的情况下,在1600℃左右的高温下,通过颗粒之间的渗透扩散间接弥散强化铂金,提高其高温强度和抗蠕变性能。

本发明的具体技术方案如下:

如附图1,将钇稳定氧化锆粉末通过送料口投入等离子喷涂设备,阴极3和阳极7分别接电源负极5和电源正极4,在直流电源正极4、直流电源负极5的作用下阳极7与阴极3之间产生电势差,通过高频火花引燃电弧将钇稳定氧化锆粉末熔融形成等离子焰流喷涂于铂金通道外壁上,形成一层厚度为0.10~0.20mm致密而均匀的钇稳定氧化锆涂层。在生产TFT-LCD玻璃基板1600℃左右的工况条件下,通过颗粒之间的渗透扩散间接弥散强化铂金,提高其高温强度和抗蠕变性能。

与现有技术相比,本发明没有采用粉末冶金的方法直接将钇稳定氧化锆颗粒加入铂金中来作为弥散相强化铂金,而是在铂金通道外壁喷涂一层钇稳定氧化锆,通过在高温下颗粒之间的渗透扩散间接弥散强化铂金,一方面有效避免了玻璃液与氧化锆接触造成锆结石,一方面第二相钇稳定氧化锆弥散分布于铂金晶界处阻碍位错运动,强化了铂金高温强度和抗蠕变性能并防止了铂金外壁在高温下挥发,保证了铂金通道应用于TFT-LCD玻璃基板生产的工况要求。

附图说明

图1是采用等离子喷涂在铂金通道外壁喷涂钇稳定氧化锆的示意图。

其中:1-钇稳定氧化锆粉末入口,2-等离子焰流,3-阴极,4-直流电源正极,5-直流电源负极,6-冷却介质等离子气入口,7-阳极,8-铂金通道本体,9-钇稳定氧化锆涂层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述:

如图1,使用的氧化锆晶格类型为钇稳定氧化锆,将该钇稳定氧化锆粉末通过粉末入口1投入等离子喷涂设备,阴极3和阳极7分别接电源负极5和电源正极4,在直流电源正极4、直流电源负极5的作用下阳极7与阴极3之间产生电势差,通过高频火花引燃电弧将钇稳定氧化锆粉末熔融形成等离子焰流2,等离子焰流2通过冷却介质等离子气6运输,喷涂于铂金通道本体8的外壁上,形成一层厚度为0.10~0.20mm致密而均匀的钇稳定氧化锆涂层9。在生产TFT-LCD玻璃基板1600℃左右的工况条件下,通过颗粒之间的渗透扩散间接弥散强化铂金,提高其高温强度和抗蠕变性能。同时,形成的致密而均匀的钇稳定氧化锆涂层可以有效防止铂金在高温下的氧化挥发,避免了锆结石的产生。

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