[发明专利]一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法在审
| 申请号： | 201711185873.4 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107968068A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 熊易斯 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 深沟 隔离 焦深 工艺 窗口 方法 | ||
1.一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；
步骤S2、对所述第一光阻层进行光刻，以在所述第一光阻层露出需要刻蚀沟槽的位置；
步骤S3、刻蚀所述第一抗反射层、所述氧化层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第一沟槽；
步骤S4、去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层，使所述第二抗反射层覆盖在所述半导体衬底上表面以及填充所述第一沟槽；
步骤S5、形成第二光阻层，使所述第二光阻层覆盖在所述第二抗反射层的上表面以及填充所述第二抗反射层的空隙；
步骤S6、对所述第二光阻层进行光刻，以形成初始工艺窗口；
步骤S7、形成水溶性有机化合物层，使所述水溶性有机化合物层覆盖在所述第二光阻层的上表面以及填充所述初始工艺窗口；
步骤S8、对覆盖有所述水溶性有机化合物层的所述第二光阻层进行高温烘烤，以形成最终工艺窗口；
步骤S9、刻蚀所述第二抗反射层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第二沟槽；
步骤S10、去除所述第二抗反射层、所述第二光阻层和所述水溶性有机化合物层；
其中，所述初始工艺窗口的尺寸大于所述最终工艺窗口的尺寸。
2.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一抗反射层的厚度为670埃。
3.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一光阻层的厚度为4150埃。
4.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述第二抗反射层的厚度为900埃。
5.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述第二光阻层的厚度为6200埃。
6.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅。
7.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述第二光阻层部分填充所述第一沟槽。
8.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述步骤S7中，形成所述水溶性有机化合物层的方法为将水溶性有机化合物涂布到所述第二光阻层的表面。
9.根据权利要求1所述的改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，所述步骤S8中，进行高温烘烤，所述水溶性有机化合物层与所述第二光阻层发生交联反应。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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