[发明专利]一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一单晶硅晶圆作为衬底，并于所述衬底上依次沉积一第一绝缘层和一电极材料层，以形成一存储器胚体，所述电极材料层采用超导电极材料形成；

步骤S2：在所述存储器胚体上沉积一结晶材料生长辅助层；

步骤S3：采用曝光刻蚀从所述存储器胚体的最顶层刻蚀至所述绝缘层，以在所述存储器胚体的内部形成一第一凹槽；

步骤S4：在所述第一凹槽的上表面至所述存储器胚体的上表面沉积一铝材料层；

步骤S5：在所述铝材料层上表面依次沉积一相变材料层和一加热电极层，所述加热电极层采用所述超导电极材料形成；

步骤S6：在所述存储器胚体的上表面沉积绝缘材料并填满所述第一凹槽以形成一第二绝缘层，随后对所述存储器胚体表面进行抛光；

步骤S7：在所述存储器胚体的侧边进行刻蚀，刻蚀至所述电极材料层，以得到第二凹槽，在所述第二凹槽内沉积所述绝缘材料以形成一第三绝缘层，随后对所述存储器胚体进行抛光；

步骤S8：对所述存储器胚体相对于所述第三绝缘层的另一侧边进行刻蚀直至所述加热电极层，以形成一第一电极槽；对所述第三绝缘层进行刻蚀直至所述电极材料层为止，以形成一第二电极槽；

步骤S9：在所述第一电极槽和第二电极槽内沉积超导电极材料，以形成第一电极和第二电极，并对所述存储器胚体进行抛光，从而得到实时相变存储器。

2.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述衬底上预制有功能区域和多个选通管。

3.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述超导电极材料为铌材料。

4.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用物理气相沉积法或化学气相沉积法或原子层沉积法进行沉积。

5.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层分别由二氧化硅和/或氮化硅形成。

6.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述结晶材料生长辅助层由氮化硅形成。

7.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽呈V形结构。

8.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述相变材料层的材质为锗锑碲材料及其掺杂物或者钛锑碲材料及其掺杂物。