[发明专利]一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺在审
| 申请号： | 201711184640.2 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107946183A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光刻 mmic 芯片 背面 划片 制作 工艺 | ||
1.一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
101、采用离子体轰击晶圆表面；
102、在晶圆表面接地通孔区域注入光刻胶，并在一定固化温度下固化；
103、在接地通孔区域光刻胶固化后的晶圆上制作出划片道图形；
104、采用湿法刻蚀工艺在划片道图形区域刻蚀Au制作出划片道；
105、去除晶圆表面的光刻胶。
2.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤101中的离子体为包含O2的离子体。
3.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤102中，采用手工注入或丝网印刷方式在接地通孔区域注入光刻胶。
4.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤102中，接地通孔区域光刻胶的固化温度为90C-150C。
5.根据权利要求4所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤102中，接地通孔区域光刻胶的固化温度为100C、105C、120C。
6.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤102中，采用热板或烘箱对接地通孔区域光刻胶进行固化。
7.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤103中，采用黄光工艺在晶圆上制作出划片道图形。
8.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用KI药液蚀刻Au。
9.根据权利要求1所述一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，所述步骤105中，采用湿法去胶和/或干法去胶的方式去除光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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