[发明专利]一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法

权利要求书

1.一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法，其特征是，包含以下步骤：

向所述刻蚀槽通入氢氟酸和氨气，通过控制通入的氢氟酸和氨气的浓度和通入速率，除去刻蚀槽中的第一氧化物层，所述氢氟酸、氨气与第一氧化物层反应生成氟硅酸铵和水的固液混合体，在反应过程中，将反应生成的固液混合体由抽取设备抽走排出；所述刻蚀槽包括位于底部的氮碳化硅层和位于氮碳化硅层之上的第一氧化物层，在氮碳化硅层和第一氧化物层中间隔分布多个导电沟道，所述导电沟道底部具有由导电材料形成的导体层，所述导体层之上具有铜层，所述铜层和第一氧化物层之间具有氮化物层；

在所述刻蚀槽的顶部形成直线状的第二氧化物层，并形成真空间隙；所述第二氧化物层由已制好的直线状氧化物直接覆盖在刻蚀槽的顶部形成，或者由慢速沉积的薄膜沉淀工艺形成。

2.根据权利要求1所述的一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法，其特征是：

所述氮化物层由氮化硅制成。

3.根据权利要求1所述的一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法，其特征是：

所述导体层由导电材料制成。

4.根据权利要求3所述的一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法，其特征是：

所述导电材料包括钨、钴、铜、铝和硅化物中的一种或几种的组合。

5.根据权利要求1所述的一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法，其特征是：

所述第一氧化物层为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的一种在刻蚀槽中制造真空间隙的方法，其特征是：

所述第二氧化物层由二氧化硅制成。

7.一种3D NAND存储器，其特征在于，其包括根据权利要求1-6任意一项所述方法制造的刻蚀槽。