[发明专利]制作半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一基底，该基底上具有一第一区域以及一第二区域；

形成一第一鳍状结构于该第一区域上以及一第二鳍状结构于该第二区域上；

形成一第一衬垫层覆盖于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构上；

形成一第一缓冲层于该第一衬垫层上；

去除该第一区域上的该第一缓冲层；

形成一绝缘层在该基底上并完全覆盖该第一鳍状结构和该第二鳍状结构；以及

在该第一衬垫层覆盖于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构上的同时进行一固化制作工艺使该第一缓冲层与该绝缘层融为一体，且该第一鳍状结构的宽度不同于该第二鳍状结构的宽度。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成该第一缓冲层于该第一衬垫层上；

形成一图案化掩模于该第二区域上；以及

利用该图案化掩模去除第一区域上的部分该第一缓冲层。

3.如权利要求2所述的方法，还包含进行一原子沉积制作工艺以形成该第一衬垫层。

4.如权利要求2所述的方法，还包含于形成该第一衬垫层之前形成一第二衬垫层于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构侧壁。

5.如权利要求4所述的方法，还包含进行一现场蒸气成长(in-situ steamgeneration,ISSG)制作工艺以形成该第二衬垫层。

6.如权利要求4所述的方法，其中该第一衬垫层以及该第二衬垫层包含相同材料。

7.如权利要求4所述的方法，其中该第一衬垫层以及该第二衬垫层包含氧化硅。

8.如权利要求2所述的方法，还包含：

去除该图案化掩模；

形成一第二缓冲层于该第一区域以及该第二区域；

形成该绝缘层于该第二缓冲层上；以及

在形成该绝缘层之后进行该固化制作工艺。

9.如权利要求8所述的方法，其中该第一缓冲层以及该第二缓冲层包含相同材料。

10.如权利要求8所述的方法，其中该第一缓冲层以及该第二缓冲层包含非晶硅。