[发明专利]一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法

权利要求书

1.一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底堆叠结构试验片，具体的，所述衬底堆叠结构包括在硅衬底上形成氧化物-氮化硅-氧化物(ONO)堆叠结构以及上面的硬掩膜(HM)；

刻蚀沟道孔，具体包括硬掩膜(HMO)刻蚀、沟道孔刻蚀、干法去胶(Asher)和湿法清洗(WET clean)；

清除ONO堆叠结构，具体为通过氢氟酸湿法刻蚀，保证彻底去除氧化物和氮化硅的同时不对硅衬底形貌造成损伤，保留衬底上的刻蚀形貌；

硅衬底形貌的量测表征，采用扫描电镜(CD-SEM)量测机台量测硅衬底全貌；

所述沟道孔刻蚀采用以氟基等离子体为主的干法刻蚀，既能刻蚀氧化物和氮化硅，又能刻蚀硅衬底，从而在硅衬底上形成刻蚀形貌。

2.如权利要求1所述的量测表征方法，其特征在于，所述量测硅衬底全貌包括通过测量硅衬底孔径大小，进而得到底部孔径的均一性、收敛性和底部孔的圆度。

3.如权利要求2所述的量测表征方法，其特征在于，所述硅衬底孔径大小是通过扫描电镜量测机台直接量测。

4.如权利要求2所述的量测表征方法，其特征在于，所述底部孔径的均一性和收敛性可通过收集全貌硅衬底孔径大小，然后由量测机台自动计算输出。

5.如权利要求2所述的量测表征方法，其特征在于，通过量测机台上的软件自动计算获得孔的圆度(Distortion)。