[发明专利]一种OCXO压敏补偿电路及OCXO频率压敏特性改善方法

权利要求书

1.一种OCXO频率压敏特性改善方法，其特征在于步骤如下：

(1)通过真空试验测试OCXO产品的压敏特性，记录不同气压下的频率值，计算出常压和真空下的最大频率变化值Δf_max，计算出归一化频率变化值dy；

(2)根据步骤(1)中的试验测试，当真空频率小于常压频率时，构建补偿电路A或补偿电路B；否则，构建补偿电路B；

所述的补偿电路A在OCXO产品振荡电路之外增加一个容性压力传感器；所述的OCXO产品振荡电路等效形式为电阻R_q、电感L_q、电容C_q三者串联后与电容C₀并联，并联后的两端串联电感L_t1、电容C_t11，组成振荡回路；容性压力传感器并联在电容C_t11两端；

所述的补偿电路B在OCXO产品振荡电路之外增加一个阻性压力传感器和变容二极管C_t21；所述的OCXO产品振荡电路等效形式为电阻R_q、电感L_q、电容C_q三者串联后与电容C₀并联，并联后的两端串联电感L_t1、电容C_t22，组成振荡回路；阻性压力传感器的输出接入振荡回路，变容二极管C_t21并联在电容C_t22两端；

(3)根据步骤(1)中计算出归一化频率变化值dy，结合步骤(2)中构建的具体补偿电路的形式，计算OCXO产品振荡电路中电容C_t11或者电容C_t22的等效控制电容值；

(4)根据步骤(3)中计算的等效控制电容值，对步骤(2)中构建的补偿电路中的对应的电容C_t11或者电容C_t22进行处理，使其电容值为对应的等效控制电容值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：当构建的是所述的补偿电路A时，等效控制电容值通过下述公式计算：

其中，采用C_q、C_t12分别代表补偿电路中晶体等效电容C_q、容性压力传感器的电容值；ΔC为容性压力传感器的输出特性。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：当构建的是所述的补偿电路B时，等效控制电容值通过下述公式计算：

其中，采用C_q、C_t21分别代表补偿电路中晶体等效电容C_q、变容二极管的电容值C_t21；V_t为阻性压力传感器的输出电压，φ＝0.7V，n是变容二极管电容变化指数，α是传感器压感灵敏度，ΔP是压力变化值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的补偿电路B还包括运算放大器，阻性压力传感器的输出经过运算放大器放大后接入振荡回路。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：当构建的是包括运算放大器的补偿电路B时，等效控制电容值通过下述公式计算：

其中，采用C_q、C_t21分别代表补偿电路中晶体等效电容C_q、变容二极管的电容值C_t21；V_t为阻性压力传感器的输出电压，φ＝0.7V，n是变容二极管电容变化指数，α是传感器压感灵敏度，ΔP是压力变化值，k是运算放大器的比例因子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对步骤(4)处理后的OCXO产品重新进行常压真空试验，以验证OCXO频率压敏特性改善效果。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：当需要提高OCXO产品在整个压力变化过程中输出频率准确度时，对变容二极管C_t21或者容性压力传感器进行线性化处理，得到新的变容二极管或者容性压力传感器的电容值，重新执行步骤(3)、(4)。